公开(公告)号：CN118690573A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410896599.5

申请日：2024-07-05

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 余航 ,  罗俊 ,  罗云耀 ,  文科 ,  吴兆希 ,  谭骁洪 ,  刘倩

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/18 ,  G06F119/04 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种预测VDMOS在空间环境下寿命的方法，包括：选取多个加速应力水平作为试验应力水平，并在每一试验应力水平下通过退化实验获取多个样本数据；构建VDMOS寿命预测的加速模型；根据样本数据拟合退化轨迹，并建立寿命分布模型；根据寿命分布模型求解加速模型的参数，并得出VDMOS的可靠性函数；根据VDMOS的可靠性函数对VDMOS在空间环境下的寿命进行预测。本发明中，通过使用多应力水平的加速试验对器件进行总剂量辐照，通过数学建模求解器件退化模型，可从实验室环境得到器件预期寿命，解决了低剂量率辐照加速模型构建和寿命评估问题。