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公开(公告)号：CN107919604B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201711386201.X
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/32
Abstract: 本发明公开了一种日盲紫外单光子源及其制备方法，包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构中量子点的禁带宽度大于4.43 eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本发明对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280 nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发射，可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、近距离保密通信、量子精密测量相关领域。
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公开(公告)号：CN107196766B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201710595958.3
申请日：2017-07-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提出一种小型化的量子认证系统，该系统使用激光脉冲衰减的方法制备单光子源，利用高速空间光调制器对入射光波前进行编码，将编码后的光照射到随机介质构成的光学PUF钥匙上产生散斑响应，利用空间光调制器对散斑进行处理完成PUF钥匙的注册和认证过程；本发明将光路在三维方向上折叠并采用笼式光路系统减小了真个认证系统的体积，并采用商品化的器材，使制造成本极低。
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公开(公告)号：CN106789031B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201710027818.6
申请日：2017-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种单电路板上集成的量子认证系统，包括：一体化电路板、从左向右依次通过锡焊互联集成在一体化电路板上并通过外壳封装于一体的量子光源模块、插卡槽、解码探测模块和触摸屏显示器芯片，以及由窗口上封装固定有光学PUF的激励光调制器芯片构成的量子钥匙卡片。本发明通过将光学PUF和激励光调制器芯片集成一体，避免了激励光与光学PUF之间的位置对准问题，并利用波前反馈自适应算法，解决了量子钥匙卡片与解码探测模块之间的位置对准问题，极大地提高了系统的稳定性和可重复性。本发明还具有体积小、重量轻、结构紧凑、使用和携带便捷的优势，适于量子安全认证、身份识别、量子加密领域。
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公开(公告)号：CN109052310B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810736715.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J．退火。通过增加预刻蚀台阶，在钝化层去除的同时，除去台面侧面的部分接触金属电极，实现侧面电极的部分覆盖，在保证良好的附着接触质量前提下，所制备电极结构满足低的接触非线性结电容和接触电阻；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。
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公开(公告)号：CN109440067B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201811307483.4
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，本发明属于薄膜结构处理技术领域，包括清洗步骤、覆胶步骤、曝光步骤、显影步骤、镀膜步骤和剥离步骤，是一种利用斜蒸发处理薄膜结构的方法，以实现微纳尺寸特定、参数可控的侧面薄膜的蒸镀，而满足实际需求的蒸发蒸镀微纳柱侧边膜结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108364950B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810142345.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L27/06 , H01L21/8252
Abstract: 本发明提供了一种外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法，旨在解决现有的工艺比较复杂的问题。一种外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层半导体、选择性腐蚀层、薄膜支撑层、高阻隔离层、重掺杂n+GaAs层和低掺杂n‑GaAs层。正面制作GaAs基单管器件的方法：A1、片上肖特基器件的制作步骤；B1、对片上肖特基器件进行隔离；C1、衬底脱落。GaAs基片上集成变频电路的制作方法：A2、片上肖特基器件制作步骤。B2、去除重掺杂n+GaAs层和低掺杂n‑GaAs层。C2、集成无源器件。D2、对片上肖特基器件进行隔离。E2、通过空气桥工艺和电镀工艺制作梁式引线。F2、衬底脱落。本发明工艺简化，节约了成本。
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公开(公告)号：CN107403848A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710805961.3
申请日：2017-09-08
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/02327 , H01L31/03529
Abstract: 本发明公开了一种背照式级联倍增雪崩光电二极管，在衬底上自下向上依次为缓冲层、n型掺杂AlxGa1-xN层、i型周期级联倍增层、i型本征吸收层及p型电极层，在i型本征吸收层台面周围是光耦合汇聚结构。本发明通过光耦合汇聚结构有效解决了周期级联倍增结构在背入射下有效吸收率低的问题，同时减小了器件台面尺寸，降低了体漏电流。本发明给出了周期级联倍增雪崩光电二极管在背照射下有效工作的解决方案，适于大规模阵列集成，且适用于紫外、可见、近红外的各个波段，可广泛应用于微弱光探测成像乃至单光子探测成像领域。
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公开(公告)号：CN106784213A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710028757.5
申请日：2017-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：包括p型电极、pin纳米线、嵌埋于纳米线中的量子点、多层同心环腔、n型电极、n型材料和衬底。这种器件的优点在于：在实现电注入工作的同时，利用多层同心圆环构成的圆环形布拉格微腔，在圆心量子点位置产生电磁场局域增强，既能利用珀塞尔效应增强量子点单光子源的辐射效率，又能在垂直于纳米线的两个空间维度限制光子的发散，使单光子只沿纳米线方向出射,易于和光纤耦合，极大地提高光收集利用效率。本发明的环腔纳米线电注入单光子源器件可广泛应用于量子信息、量子计算、量子认证、量子精密测量相关领域。
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公开(公告)号：CN103367463B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310310173.9
申请日：2013-07-23
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹横向肖特基二极管，包括半绝缘层、有源区N+层、有源区N-层、钝化层、欧姆接触区、肖特基接触区、阴极和阳极。其主要制作方法为：刻蚀有源区台阶后，依次离子注入Si形成有源区N+层和有源区N-层，退火后淀积钝化层，在钝化层的保护下光刻欧姆接触区，然后再通过电子束光刻技术光刻肖特基接触区，淀积接触金属后，最后光刻阴极和阳极。本发明采用横向二极管结构，不仅制作工艺简单，精确控制晶体管的尺寸，有效降低阴阳极之间的寄生电容，提高二极管工作的截止频率和可靠性，而且将所有寄生参量相互隔离，在保证可靠性的基础上降低了寄生参量间的关联性，使器件的设计更加灵活，可用于实现太赫兹频段信号的混频或倍频。
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公开(公告)号：CN117673897A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311713831.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/183 , H01S5/02253 , H01S5/0239 , H01S5/0225
Abstract: 本发明公开了一种基于偏振耦合调制的集成光源制备方法，包括：在面发射激光芯片的出光口表面设置表面光栅，面发射激光芯片通过表面光栅发射具有预设偏振状态和偏振方向的激光；在液晶超表面的出光侧设置包含微纳颗粒的微透镜；将设置有表面光栅的面发射激光芯片的出光口朝向液晶超表面，使面发射激光芯片的偏振光斑与液晶超表面中的微纳结构相互对位；将相互对位的面发射激光芯片与液晶超表面放入预设的卡口位置，以在面发射激光芯片与液晶超表面之间形成具有预设高度的卡口，使面发射激光芯片与液晶超表面之间具有光线传播间隙。本发明基于液晶超表面对偏振激光进行耦合调制，实现连续调制；提升透射率，增大调制量。
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