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公开(公告)号：CN107919604B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201711386201.X
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/32
Abstract: 本发明公开了一种日盲紫外单光子源及其制备方法，包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构中量子点的禁带宽度大于4.43 eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本发明对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280 nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发射，可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、近距离保密通信、量子精密测量相关领域。
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公开(公告)号：CN114518864B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210147758.2
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种柔性可拉伸光学随机数生成器，入射激光在照射至光学随机数生成器表面3D微纳结构以及随机嵌入的纳米粒子时，会发生复杂的相干多重散射，从而使得外界激光经过柔性可拉伸光学随机数生成器所形成的散射光斑的复杂度极大的增加，有效提高随机数熵源的随机性和不可预测性；由于基板具体选用的柔性可拉伸基板，使得可拉伸光学随机数生成器能较好的兼容适配于其他柔性电子设备，同时还可以通过对柔性可拉伸基板施加形变进一步改变入射激光经过柔性可拉伸光学随机数生成器所形成的散射光斑，从而进一步增加其复杂度，提高柔性可拉伸光学随机数生成器的安全性。本发明还提供了一种制备及使用方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN114301603A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111636089.7
申请日：2021-12-29
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种仿生光学PUF钥匙及其制备方法。所述仿生光学PUF钥匙包括所述钥匙包括仿生微纳结构光学散射介质薄膜、封装卡体以及配套拔插卡槽；该仿生微纳结构光学散射介质薄膜表面具有通过植物模板印刷制备的微纳结构，所述微纳结构与通光孔处的入射光激励相互作用产生相干散射形成的透射散斑经过二值转化生成密钥；所述封装卡体和配套拔插卡槽具有相互适配的限位部件。本发明所用的仿生微纳结构薄膜能与入射光激励相互作用产生相干散射形成透射散斑，所述透射散斑经过二值转化可生成密钥，并可用于身份认证和加密传输。本发明实施例提供了一种简单、低成本、环境友好的光学PUF制备技术路线。
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公开(公告)号：CN113284853A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110548669.4
申请日：2021-05-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米金属结构随机断裂构造的PUF器件及其制备方法，所述器件包括：衬底、纳米金属结构和负性光刻胶模板；负性光刻胶模板为由多个环形轮廓单元组成的阵列，所述环形轮廓带有缺口，并位于衬底表面；纳米金属结构随机分布于负性光刻胶模板的部分环形轮廓单元内部；所述制备方法首先通过电子束曝光工艺制作负性光刻胶模板，之后在形成负性光刻胶模板的衬底上沉积纳米金属薄膜，最后通过粘合剂剥离的方式，形成纳米金属结构随机分布的PUF器件。本发明通过简单的工艺，制备的PUF器件具有很强的随机性，使其具备天然的不可复制性，应用可靠性及安全性能较高，可广泛应用于信息安全领域。
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公开(公告)号：CN107403848A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710805961.3
申请日：2017-09-08
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/02327 , H01L31/03529
Abstract: 本发明公开了一种背照式级联倍增雪崩光电二极管，在衬底上自下向上依次为缓冲层、n型掺杂AlxGa1-xN层、i型周期级联倍增层、i型本征吸收层及p型电极层，在i型本征吸收层台面周围是光耦合汇聚结构。本发明通过光耦合汇聚结构有效解决了周期级联倍增结构在背入射下有效吸收率低的问题，同时减小了器件台面尺寸，降低了体漏电流。本发明给出了周期级联倍增雪崩光电二极管在背照射下有效工作的解决方案，适于大规模阵列集成，且适用于紫外、可见、近红外的各个波段，可广泛应用于微弱光探测成像乃至单光子探测成像领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784213A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710028757.5
申请日：2017-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：包括p型电极、pin纳米线、嵌埋于纳米线中的量子点、多层同心环腔、n型电极、n型材料和衬底。这种器件的优点在于：在实现电注入工作的同时，利用多层同心圆环构成的圆环形布拉格微腔，在圆心量子点位置产生电磁场局域增强，既能利用珀塞尔效应增强量子点单光子源的辐射效率，又能在垂直于纳米线的两个空间维度限制光子的发散，使单光子只沿纳米线方向出射,易于和光纤耦合，极大地提高光收集利用效率。本发明的环腔纳米线电注入单光子源器件可广泛应用于量子信息、量子计算、量子认证、量子精密测量相关领域。
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公开(公告)号：CN117673897A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311713831.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/183 , H01S5/02253 , H01S5/0239 , H01S5/0225
Abstract: 本发明公开了一种基于偏振耦合调制的集成光源制备方法，包括：在面发射激光芯片的出光口表面设置表面光栅，面发射激光芯片通过表面光栅发射具有预设偏振状态和偏振方向的激光；在液晶超表面的出光侧设置包含微纳颗粒的微透镜；将设置有表面光栅的面发射激光芯片的出光口朝向液晶超表面，使面发射激光芯片的偏振光斑与液晶超表面中的微纳结构相互对位；将相互对位的面发射激光芯片与液晶超表面放入预设的卡口位置，以在面发射激光芯片与液晶超表面之间形成具有预设高度的卡口，使面发射激光芯片与液晶超表面之间具有光线传播间隙。本发明基于液晶超表面对偏振激光进行耦合调制，实现连续调制；提升透射率，增大调制量。
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公开(公告)号：CN114609722B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210264339.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光偏转调制的集成光源及其制备方法，激光芯片的出光口指向待集成芯片，调制片位于待集成芯片与激光芯片之间；激光芯片的激光口表面设置有用于对激光芯片发出激光进行整形的微透镜，调制片表面设置有超结构，超结构至少用于将透过调制片出射的激光的出射角偏转至预设角度；待集成芯片表面设置有耦合光栅，用于将透过调制片出射的激光耦合进待集成芯片。先通过微透镜对激光进行整形，再通过调制片将激光的传播角度整体偏转至预设角度，倾斜直至照射至耦合光栅，可以保证耦合光栅具有较高的耦合效率，同时待集成芯
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公开(公告)号：CN107886820B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201711132250.0
申请日：2017-11-15
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成式双光路激光电离效应模拟系统，该系统主要包括双波长脉冲激光器、双光路衰减模块、显微观察模块、测试与存储模块四个部分，该系统可实现532nm和1064nm双波长同时输出，既能自由灵活地切换两种波长的激光，又能利用二者的合束光对半导体器件的电离效应进行研究和验证，特别是针对伽马射线等辐射源作用于半导体器件剂量率效应的模拟，相比单波长模拟系统调节更加方便、受激光器波动影响更小、适用范围更加广泛。
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公开(公告)号：CN107403848B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710805961.3
申请日：2017-09-08
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种背照式级联倍增雪崩光电二极管，在衬底上自下向上依次为缓冲层、n型掺杂AlxGa1‑xN层、i型周期级联倍增层、i型本征吸收层及p型电极层，在i型本征吸收层台面周围是光耦合汇聚结构。本发明通过光耦合汇聚结构有效解决了周期级联倍增结构在背入射下有效吸收率低的问题，同时减小了器件台面尺寸，降低了体漏电流。本发明给出了周期级联倍增雪崩光电二极管在背照射下有效工作的解决方案，适于大规模阵列集成，且适用于紫外、可见、近红外的各个波段，可广泛应用于微弱光探测成像乃至单光子探测成像领域。
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