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公开(公告)号：CN111697116A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010562935.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED芯片及制备方法，通过在衬底上逐层形成缓冲层、N型层、量子阱层、P型层和微结构增透层，然后在P型层和微结构增透层上形成透明导电层，微结构增透层为TiO2，或TiO2/SiO2复合膜，或TiO2/SiO2多层膜；通过利用TiO2对可见光高透且良好的化学稳定性，利用低折射率的SiO2与高折射率的TiO2材料进行膜层结构光学设计与分析，在达到折射率要求的同时，兼顾透射率的要求，结合微纳模板及刻蚀技术在表面形成内嵌式微纳结构增透层，再覆盖兼具电流扩展及增透作用的透明导电层，制备得到的LED，其表面光提取效率大大提升，发光效率明显改善。
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公开(公告)号：CN107768235A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711007169.X
申请日：2017-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种基于二硫化钼-石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将硅衬底进行清洗；在硅衬底上生长二硫化钼-石墨烯复合层；利用原子层沉积法在二硫化钼-石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在氮化铝层上采用金属有机物化学气相沉积法生长氮化镓层等步骤。本发明通过采用二硫化钼-石墨烯复合层作为硅衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。
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公开(公告)号：CN107768235B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201711007169.X
申请日：2017-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种基于二硫化钼‑石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将硅衬底进行清洗；在硅衬底上生长二硫化钼‑石墨烯复合层；利用原子层沉积法在二硫化钼‑石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在氮化铝层上采用金属有机物化学气相沉积法生长氮化镓层等步骤。本发明通过采用二硫化钼‑石墨烯复合层作为硅衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。
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公开(公告)号：CN109494567A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811492465.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法，所述多脊型半导体激光器包括衬底及其上面包括下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层等在内的外延结构；外延结构上包含多个脊型部，每个脊型部从外延层顶部到达有源层以下，脊型部间的间隙以高阻、低热导率、低折射率物质填充，以使得各脊型部有源区相互隔离；然后在脊型部上部一一对应设置有欧姆接触电极，欧姆接触电极上设置有用于连接的顶电极。本发明提供的多脊型半导体激光器，可以实现各脊型部间电、光的相互独立，有效减小了脊间的热串扰，为获得大功率激光器提供了一种解决思路。
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公开(公告)号：CN111710766A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010563033.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及光电子技术，特别公开了一种具有折射率可调的复合增透膜的可见光LED芯片，其结构包括衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、ITO层以及覆盖在ITO层上的带有多孔微结构的复合增透膜层，所述复合增透膜层包括多孔Al2O3层和增透层。本发明能够通过调节ITO层厚度、多孔Al2O3层的孔径和厚度、增透层的材料和厚度，则可以将界面反射率降到最低来实现最佳增透作用，有效减少LED出光时的反射损耗，同时通过微结构复合增透膜减少由芯片到空气中的光线全反射，极大的提高LED芯片光强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109052311A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810736716.6
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00015 , B81C1/00404
Abstract: 本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．清洗干燥；B．沉积钝化层；C．光刻刻蚀区；D．台面刻蚀；E．沉积金属；F．腐蚀钝化层；G．退火。通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子器件，可以降低电极接触所产生的非线性结电容和接触电阻，降低由电极接触带来的器件损耗，提升器件性能和稳定性；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。
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公开(公告)号：CN107706274A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711007181.0
申请日：2017-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于六方氮化硼-石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将铜衬底抛光、清洗；在铜衬底上生长h-BN-石墨烯复合层；利用原子层沉积法在h-BN-石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长氮化镓层等步骤。本发明通过采用h-BN-石墨烯复合层作为铜衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。
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公开(公告)号：CN111697116B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202010562935.4
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED芯片及制备方法，通过在衬底上逐层形成缓冲层、N型层、量子阱层、P型层和微结构增透层，然后在P型层和微结构增透层上形成透明导电层，微结构增透层为TiO2，或TiO2/SiO2复合膜，或TiO2/SiO2多层膜；通过利用TiO2对可见光高透且良好的化学稳定性，利用低折射率的SiO2与高折射率的TiO2材料进行膜层结构光学设计与分析，在达到折射率要求的同时，兼顾透射率的要求，结合微纳模板及刻蚀技术在表面形成内嵌式微纳结构增透层，再覆盖兼具电流扩展及增透作用的透明导电层，制备得到的LED，其表面光提取效率大大提升，发光效率明显改善。
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公开(公告)号：CN109052310B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810736715.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J．退火。通过增加预刻蚀台阶，在钝化层去除的同时，除去台面侧面的部分接触金属电极，实现侧面电极的部分覆盖，在保证良好的附着接触质量前提下，所制备电极结构满足低的接触非线性结电容和接触电阻；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。
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公开(公告)号：CN109440067B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201811307483.4
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，本发明属于薄膜结构处理技术领域，包括清洗步骤、覆胶步骤、曝光步骤、显影步骤、镀膜步骤和剥离步骤，是一种利用斜蒸发处理薄膜结构的方法，以实现微纳尺寸特定、参数可控的侧面薄膜的蒸镀，而满足实际需求的蒸发蒸镀微纳柱侧边膜结构的方法。
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