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公开(公告)号：CN116165163A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111405388.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹时域光谱测试设备，包括：用于输出飞秒激光的激光器；设置在激光器的输出光路上，用于将飞秒激光分成探测激光、第一泵浦激光和第二泵浦激光的分光元件；设于磁场中，用于接收第一泵浦激光和第二泵浦激光分别从前后两个表面照射，并产生第一太赫兹脉冲和第二太赫兹脉冲的自旋太赫兹源；其中，第一太赫兹脉冲和第二太赫兹脉冲用于合光入射至待测样品；用于对探测激光与经过待测样品后的第一太赫兹脉冲、第二太赫兹脉冲合光后的光波信号进行探测，以获得待测样品的特性信息的太赫兹脉冲探测器。本申请中从两个表面对自旋太赫兹源进行泵浦激光照射激发，提升太赫兹脉冲强度，进而提高太赫兹时域光谱测试的准确性和实用性。
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公开(公告)号：CN108417486B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810204935.X
申请日：2018-03-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于太赫兹高频器件和集成电路制备领域，公开了一种GaN基SBD变频电路，包括基于衬底的电路和基于垂直电极的GaN基SBD器件，所述基于衬底的电路依次包括衬底及第一层金属，所述基于垂直电极的GaN基SBD器件从下至上依次包括第二层金属、第一层介质层、GaN缓冲层、n+GaN层、n‑GaN层、第三层金属、第二层介质层及第四层金属；还公开了GaN基SBD变频电路的制作方法，本发明通过结构和技术创新让第三代宽禁带半导体GaN和金刚石材料的优势得到充分利用和整合，用于实现高功率、高温度可靠性的高性能变频电路。
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公开(公告)号：CN109728086A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201711046040.X
申请日：2017-10-31
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种侧墙栅高迁移率晶体管的制备方法，通过光刻、金属淀积、剥离的方法在具有二维电子气特性的外延片表面沉积形成两块金属膜，金属膜呈左右分布，退火成欧姆接触层，接着淀积介质层一，通过光刻后刻蚀，在左右两个欧姆接触形成台阶，然后各向同性淀积形成介质层二，对介质层二进行各向异性刻蚀，在台阶侧壁形成侧墙，再各向同性沉积介质层一，接着对介质层一和介质层二进行化学机械抛光，露出介质二，将介质二腐蚀掉，露出沟槽，再沉积金属，形成肖特基接触，剥离形成栅帽，最后释放介质层一，得到高迁移率晶体管器件；通过上述制备方法，可以实现栅的自对准，突破线宽极限，过程可控性高，得到的器件体积更为优化，并且得到的高迁移率晶体管的频率和特性得到提高。
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公开(公告)号：CN108365019A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810142411.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/92 , H01L29/93 , H01L29/417 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/92 , H01L29/417 , H01L29/6609 , H01L29/93
Abstract: 本发明提供了一种横向结构的半导体异质结变容管装置，旨在解决现有金属电极不与异质结的二维电子气形成直接的肖特基接触导致结电容、串联电阻过大和器件频率太低的问题。本发明包括衬底、缓冲层半导体、异质结半导体结构、帽层半导体、介质层、金属阳极和金属阴极；质结半导体结构均由沟道层和势垒层组成，沟道层上存在有二维电子气；异质结半导体结构上表面开设有凹槽，金属阳极和金属阴极分别位于不同的凹槽内，金属阳极和金属阴极均与凹槽侧壁形成肖特基接触。金属阳极和金属阴极均与异质结半导体结构的二维电子气形成一维肖特基接触的横向结构变容管，大幅降低了变容管的零偏电容和串联电阻，并显著提高了电容的非线性，提升器件高频特性。
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公开(公告)号：CN114006242A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111293806.0
申请日：2021-11-03
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器，将多层膜结构的自旋太赫兹源与由金属线栅和金属底层构成的金属微阵列结构集成在同一衬底中，通过自旋太赫兹源可以辐射出线偏振太赫兹波，通过外加磁场可以对辐射出的线偏振太赫兹波的偏振方向进行调控。该线偏振太赫兹波与反射型的金属微阵列结构相互作用，最终反射出不同偏振态的太赫兹波。具体的，当外加磁场方向与金属线栅平行或者垂直时，辐射的太赫兹波为线偏振；外加磁场方向与金属线栅成45°夹角时，辐射的太赫兹波为圆偏振光；外加磁场方向与金属线栅成其他角度时，辐射的太赫兹波为椭圆偏振。通过调整外加磁场的方向，可以简便调节太赫兹波的偏振模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108365019B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810142411.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/92 , H01L29/93 , H01L29/417 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种横向结构的半导体异质结变容管装置，旨在解决现有金属电极不与异质结的二维电子气形成直接的肖特基接触导致结电容、串联电阻过大和器件频率太低的问题。本发明包括衬底、缓冲层半导体、异质结半导体结构、帽层半导体、介质层、金属阳极和金属阴极；质结半导体结构均由沟道层和势垒层组成，沟道层上存在有二维电子气；异质结半导体结构上表面开设有凹槽，金属阳极和金属阴极分别位于不同的凹槽内，金属阳极和金属阴极均与凹槽侧壁形成肖特基接触。金属阳极和金属阴极均与异质结半导体结构的二维电子气形成一维肖特基接触的横向结构变容管，大幅降低了变容管的零偏电容和串联电阻，并显著提高了电容的非线性，提升器件高频特性。
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公开(公告)号：CN109494154A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811352998.6
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种提高氮化镓基电子器件可靠性的方法，包括：在氮化镓基电子器件制备过程中，外延生长氮化镓层后，将氟原子掺杂入氮化镓层中，然后在保护气氛中热处理，形成氟掺杂的氮化镓层；在氟掺杂的氮化镓层上外延形成势垒层，继续制备氮化镓基电子器件。与现有技术相比，本发明将氟原子引入氮化镓材料中，由于氟原子可以与氮化镓材料中的原生氢杂质有效结合为缺陷复合体(F-H复合体)，并且F-H复合体的结合能非常高，难以在电应力、热应力或者辐照条件下分解，从而提高了氮化镓基电子器件的可靠性；且该方法具有简单、可控性好、可操作性强的优点，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108963724A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810861154.8
申请日：2018-08-01
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明提供了一种介质‑金属光子晶体、其制备方法和太赫兹脉冲发生器，所述介质‑金属光子晶体具有下式所示的多层复合结构：[介质层/金属层]n/绝缘衬底；其中，n为1～10之间的整数；所述金属层为磁性纳米薄膜和非磁性纳米薄膜交替复合形成的多层结构。与现有技术相比，本发明提供的介质‑金属光子晶体采用特定结构，一方面能够更大程度上吸收激光能量，激发每个金属层产生太赫兹脉冲，另一方面能够使每个金属层产生的太赫兹波相干叠加，从而使太赫兹强度获得极大增强；应用于太赫兹脉冲发生器能够最大限度的利用飞秒激光能量，从而极大地提升太赫兹强度，且频谱宽、偏振可调。
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公开(公告)号：CN108767018A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810495053.3
申请日：2018-05-22
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/66212
Abstract: 本发明属于太赫兹高频器件技术领域，公开了一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法，外延结构为结构一或结构二：结构一包括衬底、缓冲层、电流扩展层、GaN牺牲层和肖特基有源层；电流扩展层与GaN牺牲层间形成低电阻导电通道；结构二包括衬底、缓冲层、GaN牺牲层和肖特基有源层；肖特基有源层与GaN牺牲层间形成低电阻导电通道；工艺方法包括淀积绝缘介质层、使欧姆电极台面与GaN牺牲层之间具有低电阻导电通道、在n+GaN层上形成肖特基器件的欧姆接触金属电极、制备暴露的GaN牺牲层、GaN基肖特基有源层与衬底剥离、在肖特基有源层制作肖特基接触金属电极及金属互联完成高频GaN基薄膜肖特基器件的制作的步骤。
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公开(公告)号：CN108023263A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711155444.2
申请日：2017-11-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器，其具体结构包括：铁磁纳米层/LaAlO3纳米层/SrTiO3衬底/底电极，LaAlO3纳米层和SrTiO3衬底的界面形成有二维电子气；通过飞秒激光脉冲泵浦铁磁纳米层，激发超快自旋流从铁磁纳米层注入二维电子气中，二维电子气中的反Edelstein效应使超快自旋流转换为皮秒量级的瞬时电荷流，从而向两侧辐射出太赫兹脉冲；外加磁场施加于铁磁纳米层面内，改变外加磁场方向可调控太赫兹脉冲的偏振方向；在铁磁纳米层和底电极之间施加电压，可调控太赫兹脉冲的偏振、强度和频谱宽度；因此本发明可在单一器件上实现不同偏振、强度、频谱宽度等的太赫兹脉冲产生。
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