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公开(公告)号：CN117673897A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311713831.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/183 , H01S5/02253 , H01S5/0239 , H01S5/0225
Abstract: 本发明公开了一种基于偏振耦合调制的集成光源制备方法，包括：在面发射激光芯片的出光口表面设置表面光栅，面发射激光芯片通过表面光栅发射具有预设偏振状态和偏振方向的激光；在液晶超表面的出光侧设置包含微纳颗粒的微透镜；将设置有表面光栅的面发射激光芯片的出光口朝向液晶超表面，使面发射激光芯片的偏振光斑与液晶超表面中的微纳结构相互对位；将相互对位的面发射激光芯片与液晶超表面放入预设的卡口位置，以在面发射激光芯片与液晶超表面之间形成具有预设高度的卡口，使面发射激光芯片与液晶超表面之间具有光线传播间隙。本发明基于液晶超表面对偏振激光进行耦合调制，实现连续调制；提升透射率，增大调制量。
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公开(公告)号：CN114609722B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210264339.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光偏转调制的集成光源及其制备方法，激光芯片的出光口指向待集成芯片，调制片位于待集成芯片与激光芯片之间；激光芯片的激光口表面设置有用于对激光芯片发出激光进行整形的微透镜，调制片表面设置有超结构，超结构至少用于将透过调制片出射的激光的出射角偏转至预设角度；待集成芯片表面设置有耦合光栅，用于将透过调制片出射的激光耦合进待集成芯片。先通过微透镜对激光进行整形，再通过调制片将激光的传播角度整体偏转至预设角度，倾斜直至照射至耦合光栅，可以保证耦合光栅具有较高的耦合效率，同时待集成芯
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公开(公告)号：CN113948958A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111209832.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/0225 , H01S5/02253 , H01S5/02255 , H01S5/02375 , H01S5/0238 , G02B27/42
Abstract: 本发明公开了一种集成光源的制备方法，包括在激光芯片的出光口表面设置微透镜；在待集成芯片表面设置光耦合部；将设置有微透镜的激光芯片的出光口朝向光耦合部设置，使激光芯片经微透镜整形的光斑与光耦合部中预设位置相互对位；将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合以在激光芯片与待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使微透镜与待集成芯片之间具有光线传播间隙。通过在激光芯片的出光口表面直接设置微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过键合柱形成的传播间隙在光耦合部形成一尺寸合适的光斑，便于对该光线进行耦合，从而可以完成集成光源的制备。
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公开(公告)号：CN109510061B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201811573795.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器巴条解理的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域，该方法通过深刻蚀出宽解理导向槽以及V型窄导向槽，使得刻蚀深度能够穿透整个外延层，再进行背面减薄、刻蚀、电极生长工艺，再通过激光切割与Loomis解理机滚轮的方法在样品正面进行解理，从而获得巴条腔面，目的是在于对巴条解离提供了更强的指向性，大大提高了巴条解离的成功率，并且能够产生更平滑的腔面，可以应用于氮化镓激光器的生产和制造领域。
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公开(公告)号：CN109510061A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811573795.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器巴条解理的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域，该方法通过深刻蚀出宽解理导向槽以及V型窄导向槽，使得刻蚀深度能够穿透整个外延层，再进行背面减薄、刻蚀、电极生长工艺，再通过激光切割与Loomis解理机滚轮的方法在样品正面进行解理，从而获得巴条腔面，目的是在于对巴条解离提供了更强的指向性，大大提高了巴条解离的成功率，并且能够产生更平滑的腔面，可以应用于氮化镓激光器的生产和制造领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113948958B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111209832.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/0225 , H01S5/02253 , H01S5/02255 , H01S5/02375 , H01S5/0238 , G02B27/42
Abstract: 本发明公开了一种集成光源的制备方法，包括在激光芯片的出光口表面设置微透镜；在待集成芯片表面设置光耦合部；将设置有微透镜的激光芯片的出光口朝向光耦合部设置，使激光芯片经微透镜整形的光斑与光耦合部中预设位置相互对位；将相互对位的激光芯片与待集成芯片相互键合以在激光芯片与待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使微透镜与待集成芯片之间具有光线传播间隙。通过在激光芯片的出光口表面直接设置微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过键合柱形成的传播间隙在光耦合部形成一尺寸合适的光斑，便于对该光线进行耦合，从而可以完成集成光源的制备。
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公开(公告)号：CN113900289B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111211499.7
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G02F1/13 , G02F1/1335 , G02B7/02 , G02B27/09 , B29D11/00
Abstract: 本发明公开了一种光源集成物理不可克隆函数器件的制备方法，通过在激光芯片的出光口直接设置第一微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过传播间隙形成一尺寸合适的光斑，从而可以增加激光照射至液晶盒的面积；之后通过液晶盒中的像素点对该激光进行调制，最后通过颗粒无序介质可以生成具有物理不可克隆性质的光线，从而制成光源集成物理不可克隆函数器件。通过对激光光斑进行整形可以降低激光芯片与液晶盒的对准要求，利于提升器件性能和稳定性，利于光源的小型化集成化。
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公开(公告)号：CN114609722A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210264339.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于光偏转调制的集成光源及其制备方法，激光芯片的出光口指向待集成芯片，调制片位于待集成芯片与激光芯片之间；激光芯片的激光口表面设置有用于对激光芯片发出激光进行整形的微透镜，调制片表面设置有超结构，超结构至少用于将透过调制片出射的激光的出射角偏转至预设角度；待集成芯片表面设置有耦合光栅，用于将透过调制片出射的激光耦合进待集成芯片。先通过微透镜对激光进行整形，再通过调制片将激光的传播角度整体偏转至预设角度，倾斜直至照射至耦合光栅，可以保证耦合光栅具有较高的耦合效率，同时待集成芯片、调制片以及激光芯片可以沿垂直方向键合，简化对准封装过程和对准精度，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN113900289A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111211499.7
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G02F1/13 , G02F1/1335 , G02B7/02 , G02B27/09 , B29D11/00
Abstract: 本发明公开了一种光源集成物理不可克隆函数器件的制备方法，通过在激光芯片的出光口直接设置第一微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过传播间隙形成一尺寸合适的光斑，从而可以增加激光照射至液晶盒的面积；之后通过液晶盒中的像素点对该激光进行调制，最后通过颗粒无序介质可以生成具有物理不可克隆性质的光线，从而制成光源集成物理不可克隆函数器件。通过对激光光斑进行整形可以降低激光芯片与液晶盒的对准要求，利于提升器件性能和稳定性，利于光源的小型化集成化。
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公开(公告)号：CN112275333A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011075860.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于FP激光器和金属阵列结构的传感芯片及其制备方法，属于光电子器件与传感技术领域。该芯片的制备，首先是在FP激光器的出光端面生长一层介质隔离层，再在该介质隔离层端面采用聚焦离子束等微纳加工技术，制作出可用于生物传感的金属阵列结构，最后通过微流控技术将PDMS制作微流通道与芯片集成，实现芯片的传感封装，以进行传感检测；该结构中，金属阵列结构表面的折射率变化影响FP激光器出射波长的强度，将待测样品通入微流通道，测试出射光强度的变化即可对待测样品进行传感。本发明通过激光器与探测器集成，传感敏感单元及传感光学部件的高度集成，达到了传感设备微型化。
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