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公开(公告)号：CN107706274B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201711007181.0
申请日：2017-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于六方氮化硼‑石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将铜衬底抛光、清洗；在铜衬底上生长h‑BN‑石墨烯复合层；利用原子层沉积法在h‑BN‑石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长氮化镓层等步骤。本发明通过采用h‑BN‑石墨烯复合层作为铜衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。
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公开(公告)号：CN107768235A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711007169.X
申请日：2017-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种基于二硫化钼-石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将硅衬底进行清洗；在硅衬底上生长二硫化钼-石墨烯复合层；利用原子层沉积法在二硫化钼-石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在氮化铝层上采用金属有机物化学气相沉积法生长氮化镓层等步骤。本发明通过采用二硫化钼-石墨烯复合层作为硅衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。
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公开(公告)号：CN107768235B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201711007169.X
申请日：2017-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种基于二硫化钼‑石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将硅衬底进行清洗；在硅衬底上生长二硫化钼‑石墨烯复合层；利用原子层沉积法在二硫化钼‑石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在氮化铝层上采用金属有机物化学气相沉积法生长氮化镓层等步骤。本发明通过采用二硫化钼‑石墨烯复合层作为硅衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。
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公开(公告)号：CN109494567A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811492465.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法，所述多脊型半导体激光器包括衬底及其上面包括下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层等在内的外延结构；外延结构上包含多个脊型部，每个脊型部从外延层顶部到达有源层以下，脊型部间的间隙以高阻、低热导率、低折射率物质填充，以使得各脊型部有源区相互隔离；然后在脊型部上部一一对应设置有欧姆接触电极，欧姆接触电极上设置有用于连接的顶电极。本发明提供的多脊型半导体激光器，可以实现各脊型部间电、光的相互独立，有效减小了脊间的热串扰，为获得大功率激光器提供了一种解决思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109462144A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811330731.7
申请日：2018-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法，包括步骤：GaN基激光器外延片上沉积SiO2掩膜；使用纳米压印技术在基片表面制备均匀的布拉格光栅，光刻技术制作条形图样，形成脊型与光栅的复合结构；刻蚀GaN，经条形光刻胶与光栅状SiO2复合结构掩膜刻蚀外延片，形成具有脊型的表面复合光栅结构；制备激光器芯片上下电极结构，得到GaN基DFB半导体激光器。本发明将光栅制备与工艺后期所需的脊型图样同时刻蚀，分别通过纳米压印模板与光刻版图设计组合，能针对不同波长、不同阶光栅、不同尺寸GaN基DFB激光器进行设计与制备，能大幅降低GaN基DFB半导体激光器成本，有效提高产品的均匀性。
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公开(公告)号：CN107706274A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711007181.0
申请日：2017-10-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于六方氮化硼-石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将铜衬底抛光、清洗；在铜衬底上生长h-BN-石墨烯复合层；利用原子层沉积法在h-BN-石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长氮化镓层等步骤。本发明通过采用h-BN-石墨烯复合层作为铜衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。
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公开(公告)号：CN116230670A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211697427.2
申请日：2022-12-28
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种全硅基双面集成结构，该结构包括：位于顶层的硅桥、位于中间层的双面器件和TSV芯片、位于底层的硅转接板；其中双面器件和TSV芯片的上表面均与硅桥下表面通过微凸点实现机械及电气互联，下表面均与硅转接板上表面通过微凸点实现机械及电气互联。本申请的全硅基双面集成结构在缩小芯片集成面积的同时，摒弃了有机材料的使用，在同等电流通路截面积情况下，增大了散热面积，减小了封装结构引入的热阻，具有更强的散热能力；同时提高了器件之间的键合强度，实现将信号从双面器件两面的引出，更利于器件高密度的集成。
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公开(公告)号：CN109510061B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201811573795.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器巴条解理的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域，该方法通过深刻蚀出宽解理导向槽以及V型窄导向槽，使得刻蚀深度能够穿透整个外延层，再进行背面减薄、刻蚀、电极生长工艺，再通过激光切割与Loomis解理机滚轮的方法在样品正面进行解理，从而获得巴条腔面，目的是在于对巴条解离提供了更强的指向性，大大提高了巴条解离的成功率，并且能够产生更平滑的腔面，可以应用于氮化镓激光器的生产和制造领域。
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公开(公告)号：CN109510061A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811573795.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器巴条解理的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域，该方法通过深刻蚀出宽解理导向槽以及V型窄导向槽，使得刻蚀深度能够穿透整个外延层，再进行背面减薄、刻蚀、电极生长工艺，再通过激光切割与Loomis解理机滚轮的方法在样品正面进行解理，从而获得巴条腔面，目的是在于对巴条解离提供了更强的指向性，大大提高了巴条解离的成功率，并且能够产生更平滑的腔面，可以应用于氮化镓激光器的生产和制造领域。
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