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公开(公告)号：CN119506991A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411642583.8
申请日：2024-11-18
Applicant: 中交疏浚技术装备国家工程研究中心有限公司 , 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种ERT传感器电极及其制备方法与应用，该ERT传感器电极包括不锈钢基底和铜增强体，所述不锈钢基底的一侧均匀分布有覆盖该侧表面的盲孔，所述铜增强体上均匀分布有与不锈钢基底表面盲孔匹配的盲孔增强件，所述盲孔与盲孔增强件紧密嵌合构成不锈钢‑铜复合层；本发明的ERT传感器电极以不锈钢作为基底并引入铜增强体，在保证电极自身的耐磨性和耐腐蚀性的同时，显著提高了ERT传感器电极的导电性，不锈钢基底上的盲孔与铜增强体上的与盲孔匹配的盲孔增强件紧密嵌合，确保了不锈钢基底和铜增强体的牢固结合，进一步增强了电极的导电性。
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公开(公告)号：CN116994796A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210445263.8
申请日：2022-04-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01B1/22
Abstract: 本发明公开了一种用于陶瓷基板表面的银铜厚膜导体浆料的烧结方法，包括以下步骤：S1、将银铜厚膜导体浆料涂于陶瓷基板表面，晾干；S2、步骤S1中所得晾干后的陶瓷基板置于400～500℃、大气气氛下，烧结1～2小时去除银铜厚膜导体浆料中的有机载体；S3、将步骤S2中所得陶瓷基板在820～860℃、还原气氛下，还原1～2小时，所述陶瓷基板表面形成银铜厚膜导体层。本发明提供的用于陶瓷基板表面的银铜厚膜导体浆料的烧结方法，在一块陶瓷基板上实现了银铜厚膜导体浆料的高温烧结，降低了成本，烧结过程简便，且烧结成膜的性能相当。
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公开(公告)号：CN109860042B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910087448.4
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/312
Abstract: 本发明公开了一种半导体表面制备自交联有机聚合物的方法，该方法包括：半导体基底表面接枝；水解反应；退火处理。该方法采用重氮盐表面接枝技术，将含有氰基的单体接枝到半导体表面，然后通过水解反应，氰基水解为酰胺基与羧基，最后退火过程中羧基与酰胺基脱水缩合，基底表面原位制备具有三维空间交联结构的薄膜，改善了传统接枝法获得的聚合物膜层多为“梳形”或“线形”的结构，提升了现有有机薄膜二维结构的性能。
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公开(公告)号：CN111321439B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010147526.8
申请日：2020-03-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电化学沉积制备具有高密度纳米孪晶的铜针锥结构的方法，涉及微纳米和电化学交叉技术领域；将导电性基材作为阴极置于含有络合剂和添加剂的硫酸盐体系镀铜液中，施加电流，使电结晶按垂直于表面的方向纵向生长，便可在所述导电性基材表面形成所述高密度纳米孪晶铜针锥结构。本发明提供了一种工艺简单、成本低廉，适于工业化批量生产的含高密度纳米孪晶铜针锥结构的制备方法；此外，纳米孪晶铜具有优良的力学、电学性能，而具有三维针锥结构的纳米孪晶铜具有更广阔的的应用空间，可以为后续应用提供高强度、高抗电迁移性能的导电及支撑结构；既可以作为材料，又可以组成器件，从而为实现工业化生产和广泛应用的目的提供了可能。
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公开(公告)号：CN111155154B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010042855.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种填充玻璃转接板通孔的双电源双阳极电镀装置，包括电镀槽、第一阳极、第二阳极、第一电源及第二电源，第一阳极和第二阳极放置于电镀槽内，且布设于玻璃转接板的两侧，第一电源的正极与第一阳极连接，第二电源的正极与第二阳极连接，第一电源及第二电源的负极均与玻璃转接板连接，本发明通过设置双阳极双电源电镀，对通孔两端同时进行电镀填充，从而达到对通孔的高效率填充，特别是针对通孔为斜孔的情形，调节第一电源与第二电源的电流大小来分别改变转接板斜孔两侧的电流密度，进而调节转接板斜孔两侧的电镀速率，从而达到对斜孔的高效率无孔洞填充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112201565A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010954601.1
申请日：2020-09-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体表面共价接枝无氟纳米孔洞low k介电薄膜方法；包括：在大气环境下利用重氮盐技术在半导体表面化学接枝钝化层，该钝化层成分为重氮盐的有机聚合物，钝化层厚度可控，目的在于防止Si‑H表面被氧化同时作为接枝low k薄膜的中介层；在大气环境下利用重氮盐技术在表面电接枝具有POSS笼形结构的low k层。本方法制备得到的薄膜介电常数值为2.1～2.2，与以往研究相比具有显著降低的介电常数。本方法可完全在大气环境下进行，不需要惰性气体氛围保护，并且可以接枝任何可溶解的乙烯基单体，可以防止F离子对于单体的腐蚀以及对于某些共价键的破坏，本发明获得的介电薄膜具有优异的介电性能、硬度等综合性能。
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公开(公告)号：CN109576684B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910088158.1
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜表面化学镀的方法，包括：A1：将聚合物薄膜放置于功能化溶液中，在20～25℃温度下静置接枝10～120min，使得所述聚合物薄膜表面接枝吡啶基团；A2：将所述步骤A1所得样品放置于活化溶液中，在20～25℃温度条件下持续搅拌5～30min；A3：将所述步骤A2所得样品放置于化学镀液中，调节至预设温度，持续搅拌15～45min。本发明将聚合物表面接枝了吡啶基团，吡啶基团能为活性离子提供化学吸附位点，吡啶基团对活化离子或原子具有较强的吸附作用，从而使聚合物薄膜在活化后具有催化活性的表面，进而使聚合物薄膜表面顺利镀上金属层。
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公开(公告)号：CN111968940A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010830719.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种激光退火铜层结构热处理方法，通过线性整形激光束斑的扫描铜层，所述铜层为电镀铜镀层或溅射铜种子层。本发明还公开了一种线性整合激光退火装置，包括激光器、移动平台装置、激光线性整合棱镜、操作系统。本发明的激光退火热处理方法及线性整合激光退火装置，能有效提高铜膜的晶粒的完整性，降低铜膜的杂质含量，并能局部加热以适应于更多精密制备场景，得到沿激光退火扫描方向生长的类柱状晶铜结构或柱状晶结构，得到的类柱状晶铜结构或柱状晶结构晶粒尺寸较大而具有优秀的电性能，优化铜互连线的电性能。
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公开(公告)号：CN110911269A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911213600.5
申请日：2019-12-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种表面具有硅氧化物薄膜的硅片的制备方法，包括如下步骤：提供一硅基片，硅基片表面布设有垂直盲孔或通孔；通过电解法在硅基片表面及盲孔或通孔的孔壁上制备多孔层；最后通过电解法在多孔层上形成硅氧化物薄膜。本发明通过先在硅基片的表面及盲孔或通孔的孔壁上腐蚀出多孔层作为硅氧化物的前驱体反应物，大大降低了后续氧化反应的反应温度，对比起传统的气相沉积技术最低150℃的反应温度，本发明可将反应温度降低至室温，有效拓展了应用前景，并在大深宽比的微通道中制备出了厚度可控的硅氧化物绝缘层。
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公开(公告)号：CN109576684A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910088158.1
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜表面化学镀的方法，包括：A1：将聚合物薄膜放置于功能化溶液中，在20～25℃温度下静置接枝10～120min，使得所述聚合物薄膜表面接枝吡啶基团；A2：将所述步骤A1所得样品放置于活化溶液中，在20～25℃温度条件下持续搅拌5～30min；A3：将所述步骤A2所得样品放置于化学镀液中，调节至预设温度，持续搅拌15～45min。本发明将聚合物表面接枝了吡啶基团，吡啶基团能为活性离子提供化学吸附位点，吡啶基团对活化离子或原子具有较强的吸附作用，从而使聚合物薄膜在活化后具有催化活性的表面，进而使聚合物薄膜表面顺利镀上金属层。
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