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公开(公告)号：CN111968940A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010830719.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种激光退火铜层结构热处理方法，通过线性整形激光束斑的扫描铜层，所述铜层为电镀铜镀层或溅射铜种子层。本发明还公开了一种线性整合激光退火装置，包括激光器、移动平台装置、激光线性整合棱镜、操作系统。本发明的激光退火热处理方法及线性整合激光退火装置，能有效提高铜膜的晶粒的完整性，降低铜膜的杂质含量，并能局部加热以适应于更多精密制备场景，得到沿激光退火扫描方向生长的类柱状晶铜结构或柱状晶结构，得到的类柱状晶铜结构或柱状晶结构晶粒尺寸较大而具有优秀的电性能，优化铜互连线的电性能。
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