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公开(公告)号：CN116174991A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211659928.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种SnBi系低温无铅焊料及其制备方法，其中SnBi系低温无铅焊料按照重量计，包括以下组分：Ag：0.05～0.2wt％、Ni：0.05～0.2wt％、Bi：15～25wt％，余量为Sn。本发明向SnBi焊料中同时添加Ag、Ni元素，添加Ag元素可以在焊料中形成Ag3Sn相，起到细化晶粒的作用，提高焊料塑韧性；添加Ni可以在焊接界面形成(Cu,Ni)6Sn5，稳定Cu6Sn5的结构，还能抑制Cu3Sn的生长，从而提高焊点的可靠性。
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公开(公告)号：CN109860042A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910087448.4
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/312
Abstract: 本发明公开了一种半导体表面制备自交联有机聚合物的方法，该方法包括：半导体基底表面接枝；水解反应；退火处理。该方法采用重氮盐表面接枝技术，将含有氰基的单体接枝到半导体表面，然后通过水解反应，氰基水解为酰胺基与羧基，最后退火过程中羧基与酰胺基脱水缩合，基底表面原位制备具有三维空间交联结构的薄膜，改善了传统接枝法获得的聚合物膜层多为“梳形”或“线形”的结构，提升了现有有机薄膜二维结构的性能。
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公开(公告)号：CN109852954A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910087483.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒的方法，该方法包括：A1：聚合物表面预处理，将聚合物薄膜放置于预处理溶液中，在20～25℃下静置10～90min；A2：聚合物表面生长纳米钯颗粒，将所述步骤A1所得产物放置于纳米金属钯颗粒生长溶液中，在50～80℃下静置30～60min。本发明只需要两步简单的操作即可在聚合物薄膜表面生长纳米金属钯颗粒，而且也不要复杂、精密设备，在大气环境下即可操作，因此本发明有效地节约了成本。
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公开(公告)号：CN109576683B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910087446.5
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜表面化学镀的方法，该方法包括:首先将聚合物薄膜表面功能化，使得所述聚合物薄膜表面接枝硝基苯基团；然后将硝基苯基团还原为苯胺基团；再将还原为苯胺基团的聚合物薄膜放置于含有氢氟酸的活化溶液中进行活化，得到具有催化活性的表面；最后进行化学镀操作。本发明将聚合物表面接枝了硝基苯基团，并将其还原成苯胺，苯胺基团对活化离子或原子具有较强的吸附作用，从而使聚合物薄膜在活化后得到具有催化活性的表面，从而使聚合物薄膜表面顺利镀上金属层。本发明通过设计表面功能化步骤解决了聚合物表面能低、不能成为催化表面的问题，并且避免表面粗化、表面等离子体处理带来的负面影响。
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公开(公告)号：CN109880027A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910088159.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08F292/00 , C08F220/56 , C08F220/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体表面制备共聚有机聚合物薄膜的方法，该方法包括：A1：半导体基底表面共聚接枝：将所述半导体基片放置于含氰基乙烯基类单体和羧基乙烯基类单体的接枝溶液进行接枝反应，接枝后，大多数氰基自发水解为酰胺基；A2：退火处理，对所述步骤A1所得样品进行退火处理，保温温度为150～300℃，保温时间为30～180min，得到含有酰亚胺结构的聚合物薄膜。本发明在半导体基底表面原位制备具有三维空间交联结构的薄膜，改善了传统接枝法获得的聚合物膜层多为“梳形”或“线形”的结构，提升了现有有机薄膜二维结构的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109880027B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910088159.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08F292/00 , C08F220/56 , C08F220/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体表面制备共聚有机聚合物薄膜的方法，该方法包括：A1：半导体基底表面共聚接枝：将所述半导体基片放置于含氰基乙烯基类单体和羧基乙烯基类单体的接枝溶液进行接枝反应，接枝后，大多数氰基自发水解为酰胺基；A2：退火处理，对所述步骤A1所得样品进行退火处理，保温温度为150～300℃，保温时间为30～180min，得到含有酰亚胺结构的聚合物薄膜。本发明在半导体基底表面原位制备具有三维空间交联结构的薄膜，改善了传统接枝法获得的聚合物膜层多为“梳形”或“线形”的结构，提升了现有有机薄膜二维结构的性能。
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公开(公告)号：CN110276137A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910555143.1
申请日：2019-06-25
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种功率器件散热器的优化方法，包括：A1：创建IGBT模块、散热器的三维仿真模型；A2：设定三维仿真模型的边界条件，边界条件包括IGBT模块的热损耗功率以及环境温度；A3：根据热阻评价方法，输出三维仿真模型的计算结果，该计算结果包括散热器的水平面的温度分布云图、散热器的垂直截面的温度分布云图；A4：调整散热器的结构尺寸，重复步骤A1～A3，对比不同尺寸的散热器的散热效果，得到最优的散热器的结构尺寸。可有效分析不同条件、不同结构的散热器的散热效果，帮助改进散热器的设计，提高散热器的散热效果，降低散热器的设计成本。
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公开(公告)号：CN109576683A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910087446.5
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜表面化学镀的方法，该方法包括:首先将聚合物薄膜表面功能化，使得所述聚合物薄膜表面接枝硝基苯基团；然后将硝基苯基团还原为苯胺基团；再将还原为苯胺基团的聚合物薄膜放置于含有氢氟酸的活化溶液中进行活化，得到具有催化活性的表面；最后进行化学镀操作。本发明将聚合物表面接枝了硝基苯基团，并将其还原成苯胺，苯胺基团对活化离子或原子具有较强的吸附作用，从而使聚合物薄膜在活化后得到具有催化活性的表面，从而使聚合物薄膜表面顺利镀上金属层。本发明通过设计表面功能化步骤解决了聚合物表面能低、不能成为催化表面的问题，并且避免表面粗化、表面等离子体处理带来的负面影响。
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公开(公告)号：CN117117326A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311319257.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01M10/0567 , H01M10/42 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种锂金属负极成膜的电解液及其制备方法和应用，属于电池储能技术领域。锂金属负极成膜的电解液包含电解液添加剂和含锂盐的非水溶剂，其中电解液添加剂为金属负载的分子筛，分子筛选自MCM‑22、MCM‑41、MCM‑48、SBA‑3、SBA‑15，金属选自Ag、Pt、Au、Pd、Ru、Zn、Sn、Sb，通过溶液还原法在分子筛上负载金属元素，所得分子筛在高温下退火得到，该锂金属负极成膜的电解液用于制备高压锂金属电池，在不改变电解液电池制备工艺的条件下，提高锂金属电池的安全性能并保证良好的电化学性能，满足二次电池性能要求。
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公开(公告)号：CN116227301A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310248439.5
申请日：2023-03-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G16C60/00 , G06N3/126 , G06F111/08 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种FCCSP封装材料优化设计方法，包括步骤：S1：根据FCCSP的几何信息，建立FCCSP几何模型，进行稳态热力学分析；S2：对稳态热力学分析结果进行处理，提取待优化的材料参数建立优化模型；S3：确定遗传算法的选择、交叉和变异算子，设定种群规模、最大迭代次数、交叉概率和变异概率的参数值，在MATLAB编写遗传算法程序，调用APDL建立的模型进行有限元仿真，以芯片角点处的翘曲值作为适应度进行优化；S4：根据优化结果建立基于最优材料参数组合的FCCSP封装模型。本发明的一种FCCSP封装材料优化设计方法，以降低封装结构翘曲的角度出发，从全局视野推算出不同材料体系间的最优匹配组合范围。
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