公开(公告)号：CN104011594B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201280061667.1

申请日：2012-12-11

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹赫敏 ,  吕泰勋 ,  李相勋 ,  金珍善 ,  尹柱豹 ,  金东明 ,  金镇祐 ,  朴璟镇 ,  李善熙 ,  黄致容

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物，更为详细地讲，涉及包括在基板的氮化硅膜(SiNx)上形成半色调(halftone)的工序的基板微细图案形成用光致抗蚀剂组合物。本发明的光致抗蚀剂组合物，其常温稳定性优良、变色少且透射率优良，从而即便省略HMDS工序，也不存在经微细化的图案在执行显影工序时产生遗失，或者在执行后工序时产生图案变形的危险。

公开(公告)号：CN104011594A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280061667.1

申请日：2012-12-11

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 尹赫敏 ,  吕泰勋 ,  李相勋 ,  金珍善 ,  尹柱豹 ,  金东明 ,  金镇祐 ,  朴璟镇 ,  李善熙 ,  黄致容

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物，更为详细地讲，涉及包括在基板的氮化硅膜(SiNx)上形成半色调(halftone)的工序的基板微细图案形成用光致抗蚀剂组合物。本发明的光致抗蚀剂组合物，其常温稳定性优良、变色少且透射率优良，从而即便省略HMDS工序，也不存在经微细化的图案在执行显影工序时产生遗失，或者在执行后工序时产生图案变形的危险。