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公开(公告)号：CN102473756A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033927.5
申请日：2010-06-28
Applicant: 东洋铝株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01B1/22 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 提供糊组合物及具备使用所述组合物而形成的电极的太阳能电池元件，所述糊组合物不仅能够满足使硅半导体衬底上不产生翘曲、在煅烧后得到的铝电极层上不产生气泡和铝球等外观特性，还可以满足使铝电极层与硅半导体衬底之间的密合性提高、抑制铝电极层与水分的反应等特性。所述糊组合物用于在硅半导体衬底(1)上形成电极(8)，所述糊组合物包含铝粉末、有机质载体及玻璃粉，且所述玻璃粉包含至少一种选自由氧化钛、氧化钒、氧化铁、氧化钼、氧化钕及氧化钨组成的组中的过渡金属氧化物。太阳能电池元件具备使用上述糊组合物而形成的背面电极(8)。
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公开(公告)号：CN101868859A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116386.5
申请日：2008-11-20
Applicant: 东洋铝株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01B1/22
CPC classification number: H01B1/16 , H01B1/023 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供糊组合物及设有使用该糊组合物形成的电极的太阳能电池元件，该糊组合物在较厚的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层、或在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层中的任意一种情况下使用时，均能够达到与以往同等以上的BSF效果，用于在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层时，能够达到与以往同等以上的BSF效果，而且与使用现有的糊组合物形成较薄的背面电极层时相比，能够抑制焙烧后的硅半导体衬底的变形。糊组合物含有铝粉作为导电性粉末，并且铝粉含有薄片状铝粒子。太阳能电池元件设有将上述糊组合物涂布到硅半导体衬底(1)的背面上后进行焙烧而形成的背面电极(8)。
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公开(公告)号：CN100538915C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200580018625.X
申请日：2005-06-23
Applicant: 东洋铝株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , C03C8/18 , C03C14/006 , C03C2214/08 , C03C2214/16 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种糊组合物和具有使用该组合物形成的电极的太阳能电池元件，其中，所述糊组合物即使不含作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉、或者即使降低作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉的含量，也可以维持作为太阳能电池的背面电极所希望的功能，同时可以强化铝电极层与p型硅半导体基片的结合。糊组合物是一种用于在p型硅半导体基片(1)上形成铝电极层(8)的糊组合物，其包含铝粉末、有机载体及金属醇盐。太阳能电池元件具有铝电极层(8)，该铝电极层(8)是通过将具有上述特征的糊组合物涂布在p型硅半导体基片(1)上后、进行焙烧而形成的。
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公开(公告)号：CN101151681A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010429.2
申请日：2006-03-07
Applicant: 东洋铝株式会社
IPC: H01B1/22 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L31/04
CPC classification number: H01B1/22 , C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/18 , C03C14/002 , C03C14/006 , C03C2214/06 , C03C2214/08 , C03C2214/16 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种糊浆组成物、使用该组成物而形成的电极(8)、和具有该电极(8)的太阳电池元件，该糊浆组成物即使在减薄了硅半导体基板(1)的情况下，也能够不降低电极(8)的机械强度和密着性，充分实现预期的BSF效果，并且能够抑制烧成后的硅半导体基板(1)的变形(翘曲)。糊浆组成物用于在硅半导体基板(1)上形成电极，含有铝粉末、有机质媒介物、和在有机质媒介物中呈不溶性或难溶性的晶须，晶须预先与铝粉末和有机质媒介物进行了混合。太阳电池元件具有电极(8)，该电极(8)是在硅半导体基板(1)上涂敷了具有上述特征的糊浆组成物后进行烧成而形成的。
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公开(公告)号：CN1981346A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200580018625.X
申请日：2005-06-23
Applicant: 东洋铝株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , C03C8/18 , C03C14/006 , C03C2214/08 , C03C2214/16 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种糊组合物和具有使用该组合物形成的电极的太阳能电池元件，其中，所述糊组合物即使不含作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉、或者即使降低作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉的含量，也可以维持作为太阳能电池的背面电极所希望的功能，同时可以强化铝电极层与p型硅半导体基片的结合。糊组合物是一种用于在p型硅半导体基片(1)上形成铝电极层(8)的糊组合物，其包含铝粉末、有机载体及金属醇盐。太阳能电池元件具有铝电极层(8)，该铝电极层(8)是通过将具有上述特征的糊组合物涂布在p型硅半导体基片(1)上后、进行焙烧而形成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924824B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201680045360.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 东洋铝株式会社
IPC: H01L21/265 , H01B1/22 , H01L21/225 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。该膏状组合物含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素，相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份，所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。
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公开(公告)号：CN107924824A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680045360.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 东洋铝株式会社
IPC: H01L21/265 , H01B1/22 , H01L21/225 , H01L31/18
CPC classification number: H01B1/22 , H01L21/2225 , H01L21/225 , H01L21/228 , H01L21/265 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L51/0007
Abstract: 本发明提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。该膏状组合物含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂，所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素，相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份，所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。
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公开(公告)号：CN102292820A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005173.2
申请日：2010-01-14
Applicant: 东洋铝株式会社
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0288 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种糊组合物、和具有使用该组合物形成的杂质层、或杂质层和电极层的太阳能电池元件，所述糊组合物，即使在使硅半导体衬底变薄的情况下，也不会使电极层的机械强度、密合性降低，能够充分达到所期望的BSF效果，且能够抑制煅烧后的硅半导体衬底的变形(翘曲)。糊组合物用于在硅半导体衬底(1)上形成p+层(7)或铝电极层(5)，含有铝包覆化合物粉末。构成该铝包覆化合物粉末的各铝包覆化合物粒子包含：选自由无机化合物和有机化合物组成的组中的至少1种化合物粒子；和包覆所述化合物粒子的表面、位于所述铝包覆化合物粒子的最外表面、并且含有铝的含铝包覆层。
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公开(公告)号：CN108028187A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680055095.4
申请日：2016-09-16
Applicant: 东洋铝株式会社
IPC: H01L21/208 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/20 , H01L21/208
Abstract: 本发明提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的膏状组合物，还提供一种能够安全且容易地形成硅锗层的硅锗层的形成方法。本发明提供一种膏状组合物，其为用于形成硅锗层的膏状组合物，其特征在于，含有铝和锗，相对于所述铝100质量份，所述锗的含量大于1质量份、且为10000质量份以下。
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公开(公告)号：CN101151681B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200680010429.2
申请日：2006-03-07
Applicant: 东洋铝株式会社
IPC: H01B1/22 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L31/04
CPC classification number: H01B1/22 , C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/18 , C03C14/002 , C03C14/006 , C03C2214/06 , C03C2214/08 , C03C2214/16 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种糊浆组成物、使用该组成物而形成的电极(8)、和具有该电极(8)的太阳电池元件，该糊浆组成物即使在减薄了硅半导体基板(1)的情况下，也能够不降低电极(8)的机械强度和密着性，充分实现预期的BSF效果，并且能够抑制烧成后的硅半导体基板(1)的变形(翘曲)。糊浆组成物用于在硅半导体基板(1)上形成电极，含有铝粉末、有机质媒介物、和在有机质媒介物中呈不溶性或难溶性的晶须，晶须预先与铝粉末和有机质媒介物进行了混合。太阳电池元件具有电极(8)，该电极(8)是在硅半导体基板(1)上涂敷了具有上述特征的糊浆组成物后进行烧成而形成的。
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