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公开(公告)号:CN101868859A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN200880116386.5
申请日:2008-11-20
Applicant: 东洋铝株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01B1/22
CPC classification number: H01B1/16 , H01B1/023 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供糊组合物及设有使用该糊组合物形成的电极的太阳能电池元件,该糊组合物在较厚的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层、或在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层中的任意一种情况下使用时,均能够达到与以往同等以上的BSF效果,用于在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层时,能够达到与以往同等以上的BSF效果,而且与使用现有的糊组合物形成较薄的背面电极层时相比,能够抑制焙烧后的硅半导体衬底的变形。糊组合物含有铝粉作为导电性粉末,并且铝粉含有薄片状铝粒子。太阳能电池元件设有将上述糊组合物涂布到硅半导体衬底(1)的背面上后进行焙烧而形成的背面电极(8)。
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公开(公告)号:CN101681942A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200880019372.1
申请日:2008-04-07
Applicant: 东洋铝株式会社
CPC classification number: H01L31/068 , C03C8/02 , C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/18 , C03C14/006 , C03C2214/08 , C03C2214/16 , H01B1/22 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种糊组合物和具有使用该糊组合物形成的电极的太阳能电池元件,所述糊组合物无论是用于在厚的硅半导体衬底上形成厚的背面电极层时或是在薄的硅半导体衬底上形成薄的背面电极层时均能够充分实现至少与现有水平同等以上的BSF效应,并且用于在薄的硅半导体衬底上形成薄的背面电极层时,能够在实现与现有水平同等以上的BSF效应的同时抑制煅烧后硅半导体衬底的变形。所述糊组合物含有铝粉末作为导电性粉末,并且,作为不可避免的杂质元素而含有的铁和钛的合计含量为0.07质量%以下。所述太阳能电池元件具有通过将上述糊组合物涂布在硅半导体衬底(1)的背面上后进行煅烧而形成的背面电极(8)。
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