公开(公告)号：CN118538755A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202310153162.8

申请日：2023-02-21

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张龙 ,  何乃龙 ,  孙媛 ,  张森 ,  马杰 ,  张志丽 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法。该氮化镓半导体器件包括：基底；第一氮化镓层，设于所述基底上；第一介质层，设于所述第一氮化镓层上；第一栅极，设于所述第一介质层上。本申请提供的氮化镓半导体器件及其制备方法，通过在第一栅极和第一氮化镓层之间设置第一介质层，这样，一方面，第一介质层和第一氮化镓层由于极化效应产生高浓度的二维电子气可以消耗第一栅极所在区域的空穴，从而提高器件的阈值电压；另一方面，相较于未设置第一介质层的氮化镓半导体器件，在保证器件增强型的前提下，本申请可以使第一栅极下方的第一氮化镓层的厚度更厚，进而减小器件的导通电阻，提高器件的输出电流。

公开(公告)号：CN117438460A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210820911.3

申请日：2022-07-13

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  宋华 ,  张志丽 ,  章文通 ,  文天龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；源极区和漏极区，位于所述第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区上；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置；顶部第二导电类型区，设于源极区和第一绝缘隔离结构之间，且靠近第二导电类型阱区的顶部设置，顶部第二导电类型区的掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度；至少一个第二导电类型埋置区，掺杂浓度大于所述第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明能够使维持电压提高，原本因电流集中而未开启的区域随着维持电压的提高可以有机会开启。

公开(公告)号：CN114695511B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202011630769.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  张志丽 ,  许杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漂移区，设于衬底上；多层掺杂结构，设于漂移区中，每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条；多根掺杂多晶硅柱,设于漂移区中,并从上至下贯穿至少一层掺杂结构的掺杂条；场氧化层，设于各掺杂多晶硅柱上，场氧化层的底部与各掺杂多晶硅柱的顶部接触；导电结构，设于场氧化层上；其中，场氧化层在各掺杂多晶硅柱的位置开设有多个通孔，各通孔内填充有导电材料，各掺杂多晶硅柱通过通孔内的导电材料电连接至导电结构。本发明将纵向分布的第二导电类型掺杂多晶硅柱以串联电容器方式电连接在一起，可以优化体内电场分布，进一步提升器件的反向耐压。

公开(公告)号：CN117293178A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210698235.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  章文通 ,  文天龙 ,  宋华 ,  张志丽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；漏极区，位于第二导电类型阱区中；源极区，位于第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置，从第二导电类型阱区的表面向下延伸且大于漏极区的深度；第二导电类型埋层，位于漏极区下方，至少部分位于第二导电类型阱区中，掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明通过设置第一绝缘隔离结构来电流路径以避免电流集中，能够提升ESD防护能力。通过在漏端下方引入第二导电类型埋层来增大漂移区的浓度，可以降低ESD开启电压。

公开(公告)号：CN116978945A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202210419589.3

申请日：2022-04-21

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  章文通 ,  何乃龙 ,  张志丽 ,  宋华

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于所述衬底上；漂移区，设于所述掩埋介质层上；竖向导电结构，从所述漂移区向下延伸至所述掩埋介质层；低K介质，设于所述掩埋介质层中，并包围所述竖向导电结构的底部；介电层，设于所述竖向导电结构的侧面，且位于所述竖向导电结构与漂移区之间、所述低K介质的上方。本发明竖向导电结构‑介电层‑漂移区构成类似导电材料‑介电材料‑半导体的电容器效果，既能辅助漂移区耗尽，还能使得漂移区底部的等势线压在竖向导电结构下方的结构中，由于低K介质位于等势线最密集处，在该横向器件处于反向截止区域时，可大大增强介质中的电场，进而提高击穿电压。

公开(公告)号：CN113130632B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201911418234.7

申请日：2019-12-31

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  张志丽 ,  张森

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，位于第一导电类型的衬底内；纵向浮空场板阵列，包括若干个呈多行多列间隔排布的纵向浮空场板结构；纵向浮空场板结构包括设于沟槽内表面的介质层及填充于沟槽内的导电层，沟槽从第二导电类型的漂移区贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内；若干个第一导电类型的注入区域，位于第二导电类型的漂移区内，且位于各行相邻两纵向浮空场板结构之间。纵向浮空场板结构从第二导电类型的漂移区表面贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内，使得纵向浮空场板结构底部的电势被表面限制，从而提高了器件的稳定性。

公开(公告)号：CN114695511A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011630769.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  张志丽 ,  许杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漂移区，设于衬底上；多层掺杂结构，设于漂移区中，每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条；多根掺杂多晶硅柱,设于漂移区中,并从上至下贯穿至少一层掺杂结构的掺杂条；场氧化层，设于各掺杂多晶硅柱上，场氧化层的底部与各掺杂多晶硅柱的顶部接触；导电结构，设于场氧化层上；其中，场氧化层在各掺杂多晶硅柱的位置开设有多个通孔，各通孔内填充有导电材料，各掺杂多晶硅柱通过通孔内的导电材料电连接至导电结构。本发明将纵向分布的第二导电类型掺杂多晶硅柱以串联电容器方式电连接在一起，可以优化体内电场分布，进一步提升器件的反向耐压。

公开(公告)号：CN114695510A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011630768.9

申请日：2020-12-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  何乃龙 ,  张森 ,  张志丽 ,  王浩

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底，具有第二导电类型；漂移区，设于所述衬底上，具有第一导电类型，第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多层掺杂结构，设于所述漂移区中，每层掺杂结构包括至少一根沿导电沟道长度方向延伸的掺杂条；多根掺杂多晶硅柱,设于所述漂移区中,并从上至下贯穿至少一层掺杂结构的掺杂条，各所述掺杂多晶硅柱的掺杂离子的导电类型与各所述掺杂条的掺杂离子的导电类型相反。本发明由于形成了注入孔，因此离子注入不受深度的约束，并且可以在漂移区体内形成多重RESURF结构/多个导电通道。能够提高击穿电压/降低导通电阻。

公开(公告)号：CN117374105A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202210764114.8

申请日：2022-06-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  张森 ,  何乃龙 ,  宋华 ,  张志丽 ,  章文通 ,  文天龙

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区；集电区，设于漂移区中；阳极区；第一导电类型掺杂区，位于集电区和阳极区之间的漂移区中，第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度；耗尽结构，设于第一导电类型掺杂区中，包括竖向导电结构，和包围竖向导电结构从而将竖向导电结构与第一导电类型掺杂区隔离的介电层。本发明通过引入第一导电类型掺杂区，相当于设置一段高浓度的漂移区，可以在器件关断时加速少子的反向抽取；在器件开启时可以通过对竖向导电结构加电压的方式，使第一导电类型掺杂区变为耗尽区，从而成为一段高阻区，避免电压折回效应。

公开(公告)号：CN110518056B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201910712108.6

申请日：2019-08-02

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 赵景川 ,  张志丽 ,  张森

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底，具有第二导电类型；漂移区，设于衬底上，具有第一导电类型；源极区，具有第一导电类型；漏极区，具有第一导电类型；纵向浮空场板结构，设于所述源极区和漏极区之间，包括设于沟槽内表面的介质层、以及填充于所述沟槽内的多晶硅，所述沟槽从所述漂移区的上表面向下贯穿漂移区伸入衬底中，所述纵向浮空场板结构的数量为至少两个，且至少有两个位于导电沟道长度方向的不同位置上。本发明位于导电沟道长度方向的不同位置上的两个纵向浮空场板结构形成平行板电容器，因此可以起到对器件分压的作用，从而改善漂移区内电场，提高器件的耐压。