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公开(公告)号:CN117019607A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202311057885.4
申请日:2023-08-22
Applicant: 东南大学
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明涉及一种分子材料换能器、阵列的材料选择及其制作方法;其中,分子材料选用具有压电或铁电性能的分子材料;换能器包括壳体及位于壳体内的分子材料压片或阵列、声波吸收层、耐腐蚀防水透声密封层,以及穿过壳体并与分子材料压片上下表面的导电银胶电极层相连接的信号线缆;耐腐蚀防水透声密封层包覆在声波吸收层、分子材料压片或阵列外部,并且填充在壳体内部,减少横向振动、噪声,改善探测器的指向性,提高探测灵敏度;本发明具有材料选择多样、工艺制备简单、性能优异可靠,可以应用于小平台声纳或小目标探测声纳领域。
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公开(公告)号:CN110041208A
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201910291134.6
申请日:2019-04-11
Applicant: 东南大学
IPC: C07C211/07 , C07C209/00 , C07F7/24 , H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 本发明属于微电子存储器技术领域,特别涉及一种三维分子基铁电存储器件,包括所述分子基铁电存储器晶体薄膜、中心电极、周围电极和绝缘层;分子基铁电存储器晶体薄膜包裹在金属柱上,金属柱充当中心电极;周围电极是采用液相或气相沉积在分子基铁电存储器晶体薄膜上的金属;周围电极镶嵌在绝缘层里;其分子基铁电存储材料,所述分子基铁电存储材料的通式为:AxByCz;其中:A为含氮、膦或氟的小分子有机阳离子,B为金属阳离子,C为阴离子;该存储器件采用三维结构的设计,存储密度高,可根据要求改变堆叠层数实现不同的存储容量,同时具备低功耗、高性能、高可靠性且可低温制备的优点。
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公开(公告)号:CN114720452A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210361084.6
申请日:2022-04-07
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种表征分子铁电材料畴结构的拉曼方法。步骤1、确定材料的晶体生长方向和晶面;步骤2、采集变温拉曼光谱;步骤3、分析变温拉曼光谱,确定与极化密切相关的拉曼振动模式;步骤4、计算特征拉曼振动模式与晶体生长方向之间的夹角;步骤5、搭建偏振拉曼测试系统,采集不同偏振角度下的拉曼光谱;步骤6、对角度依赖偏振拉曼光谱进行数据处理;步骤7、绘制特征拉曼峰的“角度—峰强(峰宽或峰位)图;步骤8、拟合步骤7的数据,确定特征拉曼振动模式与晶体生长方向之间的夹角;步骤9、在峰强(峰宽或峰位)取极值时的角度下进行偏振拉曼成像。本发明有效填补了分子铁电材料畴结构表征领域非接触性、非破坏性表征方法的空白。
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公开(公告)号:CN104630875A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201510041379.5
申请日:2015-01-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种新型大尺寸块状信息存储铁电单晶体的环保节能生长方法,包括信息存储铁电单晶体原料溶液加热饱和平衡、引晶、转晶、程序降温生长、后处理以及热晶型转变步骤;所述单晶母液瓶不需要保护气体的保护,采用石蜡油液封方式自动控制内外压力平衡;通过石蜡油的隔离阻绝了内外空气流通,进而能精密地维持温度平衡。本发明间接生长形成大尺寸的块状信息存储铁电单晶体、制造工序简单、原料简单便宜、废液循环利用、无污染无三废排放、接近室温生长节能、水溶液生长环保、制造成本低。
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公开(公告)号:CN110112289B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN201910291203.3
申请日:2019-04-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种分子铁电相变存储器,包括存储器本体,所述存储器本体包括铁电薄膜以及介电检测头,所述铁电薄膜上下两侧均设有加热/冷却层,所述铁电薄膜上设有介电检测头,铁电薄膜与介电检测头相连,所述存储器本体外部包裹隔热层;本发明公开了一种分子铁电相变存储器,具备高集成度、低功耗的特点;同时,相变存储器因其具备非易失性、可字节寻址等特性而同时具备作为主存和外存的潜力。
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公开(公告)号:CN110204754B
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN201910484849.3
申请日:2019-06-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种氟代高相变温度复合压电材料的制备方法,步骤如下:在四氢呋喃中加入PVC颗粒,超声溶解,得到PVC的四氢呋喃溶液;将氟代高相变温度分子压电材料和无机物进行混合、球磨,得到分子压电材料微粉;将分子压电材料微粉与PVC的四氢呋喃溶液进行混合,并进行超声处理,得到悬浊液;吸取所得悬浊液,滴涂成膜后进行退火处理,在200V电压下极化两小时,即可得到氟代高相变温度复合压电材;本发明增强了压电材料的成膜性,提高了压电材料的稳定性;此外,本发明采用的溶液制备法也方便了材料的制备。
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公开(公告)号:CN108511597A
公开(公告)日:2018-09-07
申请号:CN201810125966.6
申请日:2018-02-08
Applicant: 东南大学
IPC: H01L41/18 , H01L41/317 , H01L41/37 , H01L41/45
Abstract: 本发明提供一种分子基压电材料及其制备方法和应用。该分子基材料具有通式为[(A1)x(A2)1-x][(B1)y(B2)1-y][(C1)z(C2)1-z]3(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1),其中A1或A2为有机阳离子,B1或B2为金属阳离子,C1或C2为无机阴离子。通过调节A1、A2、B1、B2、C1、C2的类型和组分x、y、z的大小,可以获得具有极大压电性能的分子基压电材料。其中,组分为(TMFM)x(TMCM)1-xCdCl3(x=0.1~1.0)的分子压电材料具有高达1200pC/N的压电系数d33,并已经达到或超过无机陶瓷的水平。同时该类分子基材料可以通过液相或固相反应合成,并可制备高质量的晶体、多晶块材及薄膜。
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公开(公告)号:CN118496112A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410606357.8
申请日:2024-05-16
Applicant: 东南大学
IPC: C07C215/44 , G01L1/16 , G01H11/08 , G01H3/00 , H10N30/85 , C07C213/00 , C07C213/08
Abstract: 本发明公开一种基于氢键诱导的无金属分子铁电材料及其制备方法和应用,该设计策略的分子材料体系具有通式为AB或AB2,A代表+1价或者+2价由羟基或巯基取代的大分子有机铵、有机膦阳离子,B代表‑1价的具有有效氢键受体原子的无金属阴离子,稳定的氢键网络实现引入铁电极化以及高相变温度的无金属分子铁电材料,其中,1‑羟基‑3‑金刚烷铵四氟硼酸盐在非铁电1‑金刚烷铵四氟硼酸盐的基础上,通过羟基修饰A位有机阳离子诱导氢键设计合成高相变温度、稳定极化的分子铁电材料,相变温度提升至少336 K,基于氢键诱导的无金属分子铁电材料具有生物相容、环境友好、易制备、低成本等优势,并可制备单晶、多晶粉末压片以及薄膜等多种样品形式。
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公开(公告)号:CN116969932A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202310945223.4
申请日:2023-07-31
Applicant: 东南大学
IPC: C07D453/02 , C07D295/027 , C07C209/00 , C07C211/14 , C30B29/54 , C30B7/14 , H01B3/18 , G01R31/00 , G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种新型分子铁电莫特绝缘体材料及其制备方法及应用。该材料具有通用化学式为AXBYCZ,其中A为有机阳离子,B为过渡金属阳离子,C为无机阴离子。通过调节A、B、C的类型,获得具有超导前景的分子铁电材料。其中,分子式为(C7H14N)3V12O30的分子铁电材料可通过水热反应制备高质量晶体。在相变过程中,电阻下降三个数量级,展现出典型的莫特绝缘体的特征。本发明还基于这种材料,公开了一种分子铁电莫特绝缘体的电学测试系统。本发明合成方法简单易于操作,原料易得,合成的材料不溶于水,改进了以往分子铁电易溶于水的弊端,扩大了分子铁电的应用场景。
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