公开(公告)号：CN116969932A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310945223.4

申请日：2023-07-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 游雨蒙 ,  姚婕 ,  杜国威 ,  季浩然

IPC: C07D453/02 ,  C07D295/027 ,  C07C209/00 ,  C07C211/14 ,  C30B29/54 ,  C30B7/14 ,  H01B3/18 ,  G01R31/00 ,  G01R27/02

Abstract: 本发明公开了一种新型分子铁电莫特绝缘体材料及其制备方法及应用。该材料具有通用化学式为AXBYCZ,其中A为有机阳离子，B为过渡金属阳离子，C为无机阴离子。通过调节A、B、C的类型，获得具有超导前景的分子铁电材料。其中，分子式为(C7H14N)3V12O30的分子铁电材料可通过水热反应制备高质量晶体。在相变过程中，电阻下降三个数量级，展现出典型的莫特绝缘体的特征。本发明还基于这种材料，公开了一种分子铁电莫特绝缘体的电学测试系统。本发明合成方法简单易于操作，原料易得，合成的材料不溶于水，改进了以往分子铁电易溶于水的弊端，扩大了分子铁电的应用场景。

公开(公告)号：CN114720452A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210361084.6

申请日：2022-04-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 游雨蒙 ,  周文琴 ,  冯子杰 ,  熊昱安 ,  杜国威

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种表征分子铁电材料畴结构的拉曼方法。步骤1、确定材料的晶体生长方向和晶面；步骤2、采集变温拉曼光谱；步骤3、分析变温拉曼光谱，确定与极化密切相关的拉曼振动模式；步骤4、计算特征拉曼振动模式与晶体生长方向之间的夹角；步骤5、搭建偏振拉曼测试系统，采集不同偏振角度下的拉曼光谱；步骤6、对角度依赖偏振拉曼光谱进行数据处理；步骤7、绘制特征拉曼峰的“角度—峰强(峰宽或峰位)图；步骤8、拟合步骤7的数据，确定特征拉曼振动模式与晶体生长方向之间的夹角；步骤9、在峰强(峰宽或峰位)取极值时的角度下进行偏振拉曼成像。本发明有效填补了分子铁电材料畴结构表征领域非接触性、非破坏性表征方法的空白。