公开(公告)号：CN110112289B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201910291203.3

申请日：2019-04-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 游雨蒙 ,  沙泰廷 ,  景政印

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明涉及一种分子铁电相变存储器，包括存储器本体，所述存储器本体包括铁电薄膜以及介电检测头，所述铁电薄膜上下两侧均设有加热/冷却层，所述铁电薄膜上设有介电检测头，铁电薄膜与介电检测头相连，所述存储器本体外部包裹隔热层；本发明公开了一种分子铁电相变存储器，具备高集成度、低功耗的特点；同时，相变存储器因其具备非易失性、可字节寻址等特性而同时具备作为主存和外存的潜力。

公开(公告)号：CN110112289A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910291203.3

申请日：2019-04-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 游雨蒙 ,  沙泰廷 ,  景政印

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明涉及一种分子铁电相变存储器，包括存储器本体，所述存储器本体包括铁电薄膜以及介电检测头，所述铁电薄膜上下两侧均设有加热/冷却层，所述铁电薄膜上设有介电检测头，铁电薄膜与介电检测头相连，所述存储器本体外部包裹隔热层；本发明公开了一种分子铁电相变存储器，具备高集成度、低功耗的特点；同时，相变存储器因其具备非易失性、可字节寻址等特性而同时具备作为主存和外存的潜力。

公开(公告)号：CN110311040A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910502779.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 景政印 ,  游雨蒙 ,  潘强 ,  苗书荣

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿分子铁电光伏材料的能隙结构调控及制备方法，该方法所用钙钛矿铁电材料为ABC3型，A为有机阳离子，B为金属阳离子，C为无机阴离子，通过调节C位中各种卤素及类卤素含量，从而实现钙钛矿型分子铁电光伏材料能带结构的有效调控。并提供了一分子铁电光伏材料的薄膜制备方法。薄膜制备是两步沉积的方法。区别于其他能带调控方式，本方法从材料层面直接调控能带，拓宽了这类材料的应用，并且这一方法具有操作简便、稳定性好等特点。

公开(公告)号：CN110246966A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910290438.0

申请日：2019-04-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 游雨蒙 ,  苗书荣 ,  景政印

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了两种新型铁电光伏材料的制备方法和利用该材料制备的铁电光伏器件。该铁电光伏材料为ABC4-4xD4x，0≤x≤1。其中A为有机阳离子，B为金属阳离子，C、D为无机阴离子。通过调节A、B、C和D的类型材料，可以获得铁电光伏材料。其中(C6H11NH2)2PbBr4及(C6H11NH2)2PbI4展现了优良的铁电光伏性质。展现了良好的铁电光伏性能。本发明还基于这种材料，公开了两种铁电薄膜光伏器件。一种为传统三明治模型，上下端为电极；另一种为横向三明治模型，左右两端为电极。上电极(或横向电极的任意一端电极)为氧化铟锡(ITO)等透明电极材料，下电极(或横向电极的任意一端电极)为Au，Ag，Al，Mg等低功函数的金属。