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公开(公告)号：CN114720452A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210361084.6
申请日：2022-04-07
Applicant: 东南大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种表征分子铁电材料畴结构的拉曼方法。步骤1、确定材料的晶体生长方向和晶面；步骤2、采集变温拉曼光谱；步骤3、分析变温拉曼光谱，确定与极化密切相关的拉曼振动模式；步骤4、计算特征拉曼振动模式与晶体生长方向之间的夹角；步骤5、搭建偏振拉曼测试系统，采集不同偏振角度下的拉曼光谱；步骤6、对角度依赖偏振拉曼光谱进行数据处理；步骤7、绘制特征拉曼峰的“角度—峰强(峰宽或峰位)图；步骤8、拟合步骤7的数据，确定特征拉曼振动模式与晶体生长方向之间的夹角；步骤9、在峰强(峰宽或峰位)取极值时的角度下进行偏振拉曼成像。本发明有效填补了分子铁电材料畴结构表征领域非接触性、非破坏性表征方法的空白。
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