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发明公开
一种基于二硫化钼墨水的忆阻器及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN118076218A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410002731.3

申请日：2024-01-02

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 , 周文韬 , 景旭 , 曾然 , 张哲昊 , 王鑫博 , 陈佳熠

IPC: H10N70/20 , H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼墨水的忆阻器及其制备方法和应用，包括由下往上依次形成的衬底、二硫化钼墨水薄膜和顶电极，其中，二硫化钼墨水薄膜的厚度为5‑20nm，顶电极包括Ti薄膜和覆盖于Ti薄膜上方的Pd薄膜，Ti薄膜的厚度为5‑15nm，Pd薄膜的厚度为35‑90nm。本发明制备的二硫化钼薄膜均匀致密，能够显著提高忆阻器的应用性能，模拟开关比大(104)，set和reset电压小(Vset＝2.32V，Vreset＝‑0.62V)，有望应用于神经网络计算、非易失性存储或人工智能领域中；并且，本发明制备方法工艺简单，成本低，实验器材要求低，整个流程无需高温，可大批量制备阵列化的器件。

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