公开(公告)号：CN116544280A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310399088.8

申请日：2023-04-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 陶立 ,  常博 ,  陈彦旭 ,  陈佳熠 ,  朱天文 ,  张雨晴 ,  景旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印转移电极的柔性器件及其制备方法。属于柔性电子领域，包括柔性衬底、介电层、二维材料、源/漏极及栅极，所述二维材料、源/漏极、栅极和介电层共同组成三端场效应晶体管器件。本发明利用纳米压印的工艺在柔性衬底上创建清洁、无键合的金属‑半导体范德华接触界面，并基于此制备出柔性二维场效应晶体管器件阵列。该方法工艺可控，金属电极种类可调，转移成功率高，表面平整度高，可大规模制备低接触电阻、高迁移率、高通态电流的柔性二维材料基晶体管器件。