公开(公告)号：CN101872785A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010198486.6

申请日：2010-06-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  庄华龙 ,  孙伟锋 ,  潘晓芳 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括N型碳化硅衬底，在N型碳化硅衬底上设N型外延层，在N型外延层内设源和P型漂移区，在P型漂移区内设有漏和N型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与P型漂移区之间的N型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在N型保护环的表面、漏的表面以及N型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在N型碳化硅衬底与N型外延层之间设P型浮置埋层，且所述P型浮置埋层位于N型碳化硅衬底与N型外延层交界面上。其制备方法是选择N型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，再进行其它常规操作。

公开(公告)号：CN101872786B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201010198507.4

申请日：2010-06-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  华国环 ,  孙伟锋 ,  潘晓芳 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括P型碳化硅衬底，在P型碳化硅衬底上设P型外延层，在P型外延层内设源和N型漂移区，在N型漂移区内设有漏和P型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在P型保护环的表面、漏的表面以及P型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设N型浮置埋层，且所述N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。其制备方法是选择P型碳化硅衬底后，采用注入磷离子的方法制备N型浮置埋层，再进行其它常规操作。

公开(公告)号：CN101872786A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010198507.4

申请日：2010-06-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  华国环 ,  孙伟锋 ,  潘晓芳 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括P型碳化硅衬底，在P型碳化硅衬底上设P型外延层，在P型外延层内设源和N型漂移区，在N型漂移区内设有漏和P型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在P型保护环的表面、漏的表面以及P型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设N型浮置埋层，且所述N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。其制备方法是选择P型碳化硅衬底后，采用注入磷离子的方法制备N型浮置埋层，再进行其它常规操作。

公开(公告)号：CN101872785B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201010198486.6

申请日：2010-06-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  庄华龙 ,  孙伟锋 ,  潘晓芳 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括N型碳化硅衬底，在N型碳化硅衬底上设N型外延层，在N型外延层内设源和P型漂移区，在P型漂移区内设有漏和N型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与P型漂移区之间的N型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在N型保护环的表面、漏的表面以及N型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在N型碳化硅衬底与N型外延层之间设P型浮置埋层，且所述P型浮置埋层位于N型碳化硅衬底与N型外延层交界面上。其制备方法是选择N型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，再进行其它常规操作。

公开(公告)号：CN201741700U

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201020224320.2

申请日：2010-06-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  庄华龙 ,  孙伟锋 ,  潘晓芳 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06

Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括N型碳化硅衬底，在N型碳化硅衬底上设N型外延层，在N型外延层内设源和P型漂移区，在P型漂移区内设有漏和N型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与P型漂移区之间的N型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在N型保护环的表面、漏的表面以及N型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在N型碳化硅衬底与N型外延层之间设P型浮置埋层，且所述P型浮置埋层位于N型碳化硅衬底与N型外延层交界面上。其制备方法是选择N型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，再进行其它常规操作。

公开(公告)号：CN201766079U

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201020224318.5

申请日：2010-06-11

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  华国环 ,  孙伟锋 ,  潘晓芳 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06

Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括P型碳化硅衬底，在P型碳化硅衬底上设P型外延层，在P型外延层内设源和N型漂移区，在N型漂移区内设漏和P型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设有栅氧化层且与源的金属引线邻接，在P型保护环的表面、漏的金属引线以外的表面、N型漂移区的漏和P型保护环以外的表面以及P型外延层的源的金属引线和栅氧化层以外的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设有金属场极板，在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设有N型浮置埋层，N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。