一种死区时间可调的单输入双输出脉宽调制信号产生电路

    公开(公告)号:CN101783582A

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN201010114570.5

    申请日:2010-02-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公布了一种死区时间可调的单输入双输出脉宽调制信号产生电路,包括主脉宽调制信号产生电路(1)、从脉宽调制信号产生电路(2)和输出使能电路(3),其中主脉宽调制信号产生电路(1)和从脉宽调制信号产生电路(2)的输入端接单路输入的脉宽调制信号(PWM_in),主脉宽调制信号产生电路(1)和从脉宽调制信号产生电路(2)的输出端分别接输出使能电路(3)的输入端。本发明易于实现,可靠性好,成本极低。

    栅极浮置及电平转换的功率MOS管栅极驱动电路及方法

    公开(公告)号:CN101753000A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910263229.3

    申请日:2009-12-17

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公布了一种栅极浮置及电平转换的功率MOS管栅极驱动电路及方法,本发明所述驱动电路包括上管驱动电路和下管驱动电路,其特征在于所述上管驱动电路包括第一至第四电阻、自举电容、第二电容、第一和第二二极管、第一和第二PNP型三极管以及第一NPN型三极管,所述下管驱动电路包括第五至第九电阻、第三和第四电容、第三二极管、第三和第四PNP型三极管以及第二NPN型三极管。本发明方法实现上下功率MOS管结构的栅极驱动电平转换、下管栅极驱动及上管栅极浮置驱动。本发明不采用任何驱动芯片,仅用电阻、电容、三极管等普通分立元器件构成,成本低、可靠性、稳定性高且驱动效率高。

    一种抑制等离子体显示器行扫描芯片浪涌电压的方法

    公开(公告)号:CN102637405A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210106486.8

    申请日:2012-04-12

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种抑制等离子体显示器行扫描芯片浪涌电压的方法,行扫描芯片内设有上拉MOS管与下拉MOS管,对上拉MOS管与下拉MOS管设置第一控制信号OC1和第二控制信号OC2,通过修改第一控制信号OC1和第二控制信号OC2的输出电平状态,将一段期间的行扫描芯片的状态全部修改为全低,实现对浪涌电压的抑制。本发明结合等离子体显示器实际系统,不需要复杂的电路,只需在特定时间段内,通过控制信号修改行扫描芯片的状态,即可实现对浪涌电流的抑制,并保证等离子体显示器的正常工作,没有复杂的电路结构,成本低。

    点餐机
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101329798A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810020973.6

    申请日:2008-08-01

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及一种微处理器应用电路,具体涉及一种点餐机。包括与微处理器相连接的键盘、显示器、刷卡装置和菜肴指示器。就餐者通过键盘输入点餐内容,经微处理器处理由显示器显示点餐状态,刷卡装置完成付费;菜肴指示器指示所点菜肴,提醒餐厅服务人员为就餐者提取所点食物。本发明主要用于就餐者自助式点餐,减轻餐厅服务人员工作强度,提高工作效率,减少就餐人员就餐等待时间。

    一种死区时间可调的单输入双输出脉宽调制信号产生电路

    公开(公告)号:CN101783582B

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201010114570.5

    申请日:2010-02-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公布了一种死区时间可调的单输入双输出脉宽调制信号产生电路,包括主脉宽调制信号产生电路(1)、从脉宽调制信号产生电路(2)和输出使能电路(3),其中主脉宽调制信号产生电路(1)和从脉宽调制信号产生电路(2)的输入端接单路输入的脉宽调制信号(PWM_in),主脉宽调制信号产生电路(1)和从脉宽调制信号产生电路(2)的输出端分别接输出使能电路(3)的输入端。本发明易于实现,可靠性好,成本极低。

    栅极浮置及电平转换的功率MOS管栅极驱动电路

    公开(公告)号:CN201590755U

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN200920283570.0

    申请日:2009-12-17

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本实用新型公布了一种栅极浮置及电平转换的功率MOS管栅极驱动电路,本实用新型所述驱动电路包括上管驱动电路和下管驱动电路,其特征在于所述上管驱动电路包括第一至第四电阻、自举电容、第二电容、第一和第二二极管、第一和第二PNP型三极管以及第一NPN型三极管,所述下管驱动电路包括第五至第九电阻、第三和第四电容、第三二极管、第三和第四PNP型三极管以及第二NPN型三极管。本实用新型不采用任何驱动芯片,仅用电阻、电容、三极管等普通分立元器件构成,成本低、可靠性、稳定性高且驱动效率高。

Patent Agency Ranking