公开(公告)号：CN119836684A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380063881.9

申请日：2023-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斯克特·莱费夫雷 ,  亚当·吉尔迪亚 ,  星野聪彦 ,  索菲娅·马德隆 ,  三村勇之

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种方法，其包括在第一衬底上提供第一键合表面，该第一键合表面包括可热固化或可光固化的键合层。该方法包括在第二衬底上提供第二键合表面。该方法包括通过使该第一键合表面与第二键合表面之间进行物理接触来将该第一衬底键合到该第二衬底上。该方法进一步包括向该键合层施加热能或光。

公开(公告)号：CN119631173A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380057065.7

申请日：2023-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坎达巴拉·塔皮利 ,  蔡洙杜 ,  星野聪彦 ,  金昊珍 ,  亚当·吉尔迪亚

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明披露了用于形成半导体器件的设备和方法。该半导体器件可以包括多个半导体晶片。该多个半导体晶片可以具有设置在其上的电介质键合层。可以处理该电介质键合层以增加与其他半导体晶片的键合能。可以将对键合层施加过处理的晶片键合到另一个晶片。