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公开(公告)号：CN119920685A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411476221.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/67
Abstract: 一种基板处理方法和基板处理装置，提供能够提高绝缘膜中的氘浓度的技术。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备在表面具有绝缘膜的基板；将所述基板从第一温度升温至比所述第一温度高的第二温度；以及将所述基板维持为所述第二温度，其中，升温至所述第二温度的工序包括向所述基板供给氘气和氢气中的至少一种气体，维持为所述第二温度的工序包括向所述基板供给氘气。
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