公开(公告)号：CN116072499A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211335516.2

申请日：2022-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青木裕介 ,  伊藤骏 ,  布施吉贵

IPC: H01J37/32

Abstract: 本申请提供能够降低静电吸盘表面的带电量的技术。本申请提供基板的等离子体处理装置中的清洁方法、基板的处理方法以及等离子体处理装置。清洁方法具有(a)在等离子体处理装置的腔室内的静电吸盘上没有保持基板的状态下在腔室内生成等离子体的工序和(b)在生成(a)的等离子体的状态下向静电吸盘施加电压而降低静电吸盘表面的带电量的工序。

公开(公告)号：CN112635284A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011061170.2

申请日：2020-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊藤骏

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种清洁条件的决定方法和等离子体处理装置，能够适宜地对腔室内进行清洁。清洁条件的决定方法执行以下步骤：在腔室内以基板处理条件来处理基板；基于多个不同的清洁条件执行所述腔室内的清洁，来获取发光强度数据；基于所述发光强度数据来评价所述清洁条件；基于所述评价来选择所述清洁条件。

公开(公告)号：CN119256390A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380042176.0

申请日：2023-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木凛 ,  细谷正德 ,  千叶祐毅 ,  伊藤骏 ,  西出大亮 ,  大类贵俊 ,  斋藤悠人

IPC: H01L21/3065

Abstract: 所公开的蚀刻方法包括：工序(a)，在腔室内准备基板；工序(b)，在基板上形成沉积物；工序(c)，通过从由处理气体生成的等离子体向沉积物供给离子，对沉积物进行改性；及工序(d)，在工序(c)之后，使用等离子体对电介质膜进行蚀刻。基板包括电介质膜和掩模。沉积物从由处理气体生成的等离子体被供给，该处理气体包含含有氟及碳的气体成分。工序(c)中的源高频电力的功率水平为工序(b)中的源高频电力的功率水平以下。工序(c)中的电偏压的水平高于工序(b)中的电偏压的水平，或者在工序(b)中不供给电偏压。工序(d)中的电偏压的水平高于工序(c)中的电偏压的水平。