公开(公告)号：CN1256755C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN01814042.4

申请日：2001-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 神力博 ,  本间孝治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45578 ,  Y10S438/935

Abstract: 一种基板处理装置，具有处理容器、在所述处理容器中设置为夹着被处理基板而对置的第1及第2处理气体供给口、设置为与第1及第2处理气体流大略正交的切口状的第1及第2排气口。所述的第1及第2排气口在所述第1及第2处理气体供给口处，夹着所述被处理基板相对而置。第1处理气体从所述第1处理气体供给口向所述第1排气口的方向，沿着所述被处理基板表面流动，并吸附到所述被处理基板表面上。然后，第2处理气体从所述第2处理气体供给口向所述第2排气口的方向，沿着所述被处理基板表面流动，所述第2处理气体与先前吸附的第1处理气体分子反应，形成1个分子层的高电介质膜。

公开(公告)号：CN1446373A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN01814042.4

申请日：2001-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 神力博 ,  本间孝治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45578 ,  Y10S438/935

Abstract: 一种基片处理装置，具有处理容器、在所述处理容器中设置为夹着被处理基片而对置的第1及第2处理气体供给口、设置为与第1及第2处理气体流大略正交的切口状的第1及第2排气口。所述的第1及第2排气口在所述第1及第2处理气体供给口处，夹着所述被处理基片相对而置。第1处理气体从所述第1处理气体供给口向所述第1排气口的方向，沿着所述被处理基片表面流动，并吸附到所述被处理基片表面上。然后，第2处理气体从所述第2处理气体供给口向所述第2排气口的方向，沿着所述被处理基片表面流动，所述第2处理气体与先前吸附的第1处理气体分子反应，形成1个分子层的高电介质膜。