公开(公告)号：CN110383478A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880016477.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八田浩一 ,  早川崇 ,  岩下光秋 ,  田中崇

IPC: H01L27/11575 ,  C23C18/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 包括以构成阶梯形状的方式对在绝缘层上形成有布线层的配对层进行层叠，向构成所述阶梯形状的台阶部分的露出的所述布线层的上表面供给催化剂溶液以选择性地进行催化剂处理的步骤；以及对进行了该催化剂处理的所述布线层的上表面进行无电解镀覆，使金属层选择性生长的步骤。

公开(公告)号：CN110383478B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201880016477.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八田浩一 ,  早川崇 ,  岩下光秋 ,  田中崇

IPC: H10B43/50 ,  C23C18/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B41/30 ,  H10B41/50 ,  H10B43/30

Abstract: 包括以构成阶梯形状的方式对在绝缘层上形成有布线层的配对层进行层叠，向构成所述阶梯形状的台阶部分的露出的所述布线层的上表面供给催化剂溶液以选择性地进行催化剂处理的步骤；以及对进行了该催化剂处理的所述布线层的上表面进行无电解镀覆，使金属层选择性生长的步骤。

公开(公告)号：CN101331588A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680046966.2

申请日：2006-12-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田郁夫 ,  松崎和爱 ,  田中崇 ,  岩下光秋 ,  宗像瑞惠

IPC: H01L21/027 ,  B05C11/08 ,  B05C15/00

CPC classification number: B05D1/005 ,  B05C11/06 ,  B05C11/08 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0486 ,  B05D2203/30 ,  B05D2203/35 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明是一种涂覆设备，其包括：水平地固定衬底的衬底固定部件；将化学物质供应至被衬底固定部件水平固定的衬底的中心部分的化学物质喷嘴；使衬底固定部件旋转以便通过离心力使化学物质在衬底表面散开从而使化学物质涂敷在整个表面上的旋转机构；在被衬底固定部件水平固定的衬底表面上形成常压气体(atmospheric gas)的下降气流的气流形成单元；绕衬底排放大气的气体排放单元；以及将层流形成气体供应至衬底表面的气体喷嘴，该层流形成气体的运动粘度系数大于该常压气体；其中该常压气体或层流形成气体被供应至衬底的中心部分。

公开(公告)号：CN111630654A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201980009315.3

申请日：2019-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中崇 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/768 ,  C23C18/18 ,  H01L23/522

Abstract: 实施方式的多层配线的形成方法是埋入型的多层配线的形成方法，其包括：在通孔(70)中配线(50)露出的底面(73)形成单分子膜(80)的工序，其中该通孔(70)在设置于基片的配线(50)上的绝缘膜(60)的规定的位置形成并贯通至配线(50)；在通孔(70)的侧面(72)形成阻挡膜(81)的工序；除去单分子膜(80)的工序；将露出于通孔(70)的底面(73)的配线(50)作为催化剂，从通孔(70)的底面(73)起形成无电解镀膜(82)的工序。

公开(公告)号：CN103081089A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041390.1

申请日：2011-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 早川崇 ,  原谦一 ,  田中崇

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及的半导体装置的制造方法具备：在Cu隔离膜（100）上形成铜膜（101）的工序；在铜膜（101）上形成掩模件（102）的工序；将掩模件（102）用作掩模，将铜膜（101）各向异性地蚀刻至Cu隔离膜（100）露出的工序；和将掩模件（102）去除后，在被各向异性地蚀刻了的铜膜（101）上，采用利用了对铜膜（101）具有催化作用、对Cu隔离膜（100）没有催化作用的选择析出现象的无电镀法，形成含有抑制铜扩散的物质的镀膜（104）的工序。

公开(公告)号：CN100595887C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200680046966.2

申请日：2006-12-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田郁夫 ,  松崎和爱 ,  田中崇 ,  岩下光秋 ,  宗像瑞惠

IPC: H01L21/027 ,  B05C11/08 ,  B05C15/00

CPC classification number: B05D1/005 ,  B05C11/06 ,  B05C11/08 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0486 ,  B05D2203/30 ,  B05D2203/35 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明是一种涂覆设备，其包括：水平地固定衬底的衬底固定部件；将化学物质供应至被衬底固定部件水平固定的衬底的中心部分的化学物质喷嘴；使衬底固定部件旋转以便通过离心力使化学物质在衬底表面散开从而使化学物质涂敷在整个表面上的旋转机构；在被衬底固定部件水平固定的衬底表面上形成常压气体(atmospheric gas)的下降气流的气流形成单元；绕衬底排放大气的气体排放单元；以及将层流形成气体供应至衬底表面的气体喷嘴，该层流形成气体的运动粘度系数大于该常压气体；其中该常压气体或层流形成气体被供应至衬底的中心部分。