公开(公告)号：CN103187268A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210581126.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  李丙勲 ,  李殷祚 ,  孙成德 ,  张宰赫 ,  朴度炫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: 本发明提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。

公开(公告)号：CN103187268B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210581126.3

申请日：2012-12-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  李丙勲 ,  李殷祚 ,  孙成德 ,  张宰赫 ,  朴度炫

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: 本发明提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。