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公开(公告)号：CN108305844B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810028997.X
申请日：2018-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内收敛于规定温度的热处理装置和温度控制方法。一个实施方式的热处理装置具备：处理容器，其收纳基板；炉主体，其具有对收纳于所述处理容器中的所述基板进行加热的加热器，所述炉主体设置于所述处理容器的周围；鼓风机，其向所述处理容器与所述炉主体之间的空间供给制冷剂；以及控制部，其具有对所述鼓风机连续地通电的连续运转模式以及对所述鼓风机反复进行通电和通电停止的间歇运转模式，所述控制部基于指示电压来控制对所述鼓风机的驱动，其中，所述控制部在所述指示电压比0V大且比规定的阈值电压小的情况下，以间歇运转模式驱动所述鼓风机。
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公开(公告)号：CN108305844A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810028997.X
申请日：2018-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内收敛于规定温度的热处理装置和温度控制方法。一个实施方式的热处理装置具备：处理容器，其收纳基板；炉主体，其具有对收纳于所述处理容器中的所述基板进行加热的加热器，所述炉主体设置于所述处理容器的周围；鼓风机，其向所述处理容器与所述炉主体之间的空间供给制冷剂；以及控制部，其具有对所述鼓风机连续地通电的连续运转模式以及对所述鼓风机反复进行通电和通电停止的间歇运转模式，所述控制部基于指示电压来控制对所述鼓风机的驱动，其中，所述控制部在所述指示电压比0V大且比规定的阈值电压小的情况下，以间歇运转模式驱动所述鼓风机。
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公开(公告)号：CN111719142A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010160553.9
申请日：2020-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/56 , C23C16/455
Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于：提供一种能够改善大流量处理中的温度均匀性的技术。本发明解决技术问题的方法在于：本发明的一个方式的热处理装置具有：多段收纳多个基板并进行处理的可减压的处理容器；对上述处理容器内的上述基板进行加热的第一加热器；向上述处理容器内的高度不同的位置供给气体的多个气体供给管；和设置于上述多个气体供给管中的向最下方位置供给气体的气体供给管并对上述气体进行加热的第二加热器。
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公开(公告)号：CN106298590B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201610499994.5
申请日：2016-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种热处理装置和温度控制方法。热处理装置将基板载置于设置在处理容器内的旋转台的表面，一边使旋转台旋转一边利用加热单元加热基板来进行规定的成膜处理，该热处理装置具备：接触型的第一温度测量单元，其对所述加热单元的温度进行测量；非接触型的第二温度测量单元，其在所述旋转台正在旋转的状态下对载置于所述旋转台的基板的温度进行测量；以及温度控制单元，其基于由所述第一温度测量单元测量出的第一测量值和由所述第二温度测量单元测量出的第二测量值来控制所述加热单元。
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公开(公告)号：CN106319484A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610505674.6
申请日：2016-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种温度测量方法和热处理装置。温度测量方法是利用放射温度测量部来测量半导体制造装置中的处理容器内的温度的温度测量方法，其中，该放射温度测量部检测从对象物放射的红外线来测量温度，在该温度测量方法中，利用所述放射温度测量部来检测从室温(20℃)下的电阻率为0.02Ω·cm以下的低电阻硅晶圆放射的红外线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101748391A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252478.2
申请日：2009-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/463
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：基板加热部件，其是为了对被设在真空容器内的旋转台上的所载置的基板进行加热而设置的；反应气体供给部件，互相沿旋转台的周向隔开间隔地设置，分别用于向上述旋转台上的基板载置区域侧的面上供给反应气体；分离气体供给部件，为了分离被供给反应气体的各处理区域间的气氛，用于将分离气体供给到在上述周方向上位于这些处理区域之间的分离区域；排气口，用于对被供给到上述旋转台上的上述各反应气体和分离气体进行排气；以及温度调节部件，构成为能对上述真空容器进行加热或冷却。
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公开(公告)号：CN115394681A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210524255.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种热处理装置及热处理方法，其能够降低面间的温度不均。该热处理装置包括：筒状的处理容器；加热部，对所述处理容器进行加热；以及冷却部，对所述处理容器进行冷却，其中，所述冷却部具有：多个喷出孔，在所述处理容器的长度方向上隔开间隔地设置，并且向所述处理容器喷出冷却流体；分支部，将所述冷却流体分流至与所述多个喷出孔连通的多个流路；以及鼓风机，与多个所述流路分别对应地设置，并且将所述冷却流体送入相应的所述流路的所述喷出孔。
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公开(公告)号：CN101665925B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200910172124.7
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、成膜方法。该成膜装置包括：能旋转地设置在容器内的基座；设置在基座的一个面上的基板载置区域；包括能够独立控制的多个加热部、加热基座的加热单元；对一个面供给第一反应气体的第一反应气体供给部；与第一反应气体供给部分开、对一个面供给第二反应气体的第二反应气体供给部；位于被供给第一反应气体的第一处理区域和被供给第二反应气体的第二处理区域之间的分离区域；位于容器的中央的、具有沿一个面喷出第一分离气体的喷出孔的中央区域；以及排气口。分离区域包括：供给第二分离气体的分离气体供给部；以及用于在基座上形成第二分离气体相对于旋转方向向两个方向流动的狭窄的空间的顶面。
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公开(公告)号：CN101676433A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173919.X
申请日：2009-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/345 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/45546 , C23C16/45551 , H01L21/67757 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。该成膜装置包括：反应容器，其能够排气减压；基板保持部，其被设置成能够在该反应容器内旋转，并用于保持基板；第1反应气体供给部，其用于使第1反应气体从基板保持部的外缘部向中央部流动；第2反应气体供给部，其用于使第2反应气体从基板保持部的外缘部向中央部流动；分离气体供给部，其被设置在第1及第2反应气体供给部之间，用于使分离气体从基板保持部的外缘部向中央部流动；排气部，其被设置在基板保持部的中央部，用于对第1反应气体、第2反应气体及吹扫气体进行排气。
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公开(公告)号：CN117316809A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310721786.5
申请日：2023-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种热处理装置和热处理装置的温度调节方法，其能够高效地调节处理容器的温度，从而能够提高作为基片处理整体的吞吐量。一种热处理装置，其包括：处理容器，其具有能够处理基片的内部空间；和调温炉，其配置于所述处理容器的周围，从所述处理容器的外侧对所述基片进行加热。此外，热处理装置1包括内部调温单元，其相对于所述处理容器能够相对移动，且在与开放所述内部空间的开口相对地配置的状态下，向所述内部空间供给用于调节所述处理容器的温度的调温用气体。
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