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公开(公告)号:CN111850512A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010288943.4
申请日:2020-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本发明一个方式提供一种成膜方法,其包括:成膜步骤,通过对收纳在处理容器内的基片交替地供给多种气体,使膜沉积于该基片;和在所述成膜步骤之前执行的成膜准备步骤,以与所述成膜步骤中要供给到所述处理容器内的全部气体的平均流量相同的流量供给非活性气体,且将所述处理容器内维持为与所述成膜步骤中的所述处理容器内的平均压力相同的压力。由此,可提供能够降低成膜的初始阶段中的温度变动的技术。
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公开(公告)号:CN111719142A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010160553.9
申请日:2020-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/56 , C23C16/455
Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于:提供一种能够改善大流量处理中的温度均匀性的技术。本发明解决技术问题的方法在于:本发明的一个方式的热处理装置具有:多段收纳多个基板并进行处理的可减压的处理容器;对上述处理容器内的上述基板进行加热的第一加热器;向上述处理容器内的高度不同的位置供给气体的多个气体供给管;和设置于上述多个气体供给管中的向最下方位置供给气体的气体供给管并对上述气体进行加热的第二加热器。
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