公开(公告)号：CN118588584A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410192145.X

申请日：2024-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥真实 ,  门部雅人 ,  山口达也

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供能够调节向处理容器内供给的气体的基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器主体，其能够收纳保持基片的基片保持件；设置于上述处理容器主体的侧壁的气体供给室；从上述气体供给室在水平方向上延伸的供给侧配管；以及配置在上述气体供给室和上述供给侧配管的可拆装的注入器。

公开(公告)号：CN117747486A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311179226.8

申请日：2023-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥真实 ,  本间学 ,  大泉行雄 ,  佐藤泉 ,  佐佐木勇治 ,  镰田辉实

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/673 ,  B08B5/02 ,  B08B13/00

Abstract: 本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够高效地去除残留在基板上的不需要的分子。本公开的一个方式的基板处理装置具备：基板保持器具，其将多个基板沿铅垂方向具有间隔地分多层进行保持；以及处理容器，其收容所述基板保持器具，其中，所述基板保持器具具有将相邻的所述基板间分隔开的分隔板，所述分隔板的下表面具有用于喷出第一气体的多个喷出部，所述多个喷出部能够被独立地进行所述第一气体的供给切断的控制。

公开(公告)号：CN118588585A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410192308.4

申请日：2024-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥真实

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明提供能够调节从处理容器排出的气体的流量的基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器主体，其能够收纳保持基片的基片保持件；设置于上述处理容器主体的侧壁的气体排气室；从上述气体排气室在水平方向上延伸的排气侧配管；以及配置在上述气体排气室和上述排气侧配管的可拆装的排出器。

公开(公告)号：CN117316809A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310721786.5

申请日：2023-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥真实 ,  小原一辉 ,  山口达也

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种热处理装置和热处理装置的温度调节方法，其能够高效地调节处理容器的温度，从而能够提高作为基片处理整体的吞吐量。一种热处理装置，其包括：处理容器，其具有能够处理基片的内部空间；和调温炉，其配置于所述处理容器的周围，从所述处理容器的外侧对所述基片进行加热。此外，热处理装置1包括内部调温单元，其相对于所述处理容器能够相对移动，且在与开放所述内部空间的开口相对地配置的状态下，向所述内部空间供给用于调节所述处理容器的温度的调温用气体。

公开(公告)号：CN117293051A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310702566.8

申请日：2023-06-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  佐佐木丰 ,  高桥真实 ,  石井亨 ,  伏见直茂 ,  吉井弘治

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种能够提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。一种基片处理装置，其包括：收纳基片的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；对所述处理容器内进行排气的排气部；加热所述处理容器的加热机构；和喷射用于冷却所述基片的冷却气体的冷却气体喷射部。