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公开(公告)号：CN118451535A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202280085915.X
申请日：2022-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本田拓巳
IPC: H01L21/306 , C23F1/26
Abstract: 本发明的基片处理装置用于对基片的钼膜进行蚀刻，该基片所具有的器件结构包含多段含有钼膜的多层膜。处理槽贮存含有醋酸、磷酸、硝酸和水作为成分的蚀刻液。控制部基于由浓度测定部测定出的每个成分的浓度、由液量测定部测定出的蚀刻液的量、预先设定的蚀刻液的目标量和预先设定的每个成分的目标浓度，来决定要从处理槽排出的蚀刻液的排出量、以及要向处理槽补充的醋酸、磷酸和硝酸的补充量，控制开闭阀将所决定的排出量的蚀刻液从处理槽排出，控制供给部向处理槽补充所决定的补充量的醋酸、磷酸和硝酸。
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公开(公告)号：CN117711932A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311128538.6
申请日：2023-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本田拓巳
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够高效地抑制颗粒向基片的附着的基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括液处理步骤和带电步骤。液处理步骤利用酸性的处理液对一个或多个基片进行液处理。带电步骤在液处理步骤之前使一个或多个基片的表面电位在正侧带电。
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公开(公告)号：CN110010520B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201811464878.5
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/30
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部与支承体一起利用升降机构升降，限制基板相对于支承体向上方移动。
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公开(公告)号：CN117637531A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311057211.4
申请日：2023-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本田拓巳
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供在使用含有磷酸水溶液的蚀刻液对基片进行蚀刻的技术中，能够削减蚀刻液的使用量的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部和控制部。基片处理部能够使用含有磷酸水溶液和硅酸化合物的处理液对在表面形成有硅氮化膜和硅氧化膜的1个或多个基片进行蚀刻处理。控制部用于对各部进行控制。另外，控制部具有修正部。修正部用于对处理液的磷酸浓度进行修正，以使得在从蚀刻处理开始到结束的期间，硅氮化膜相对于硅氧化膜的蚀刻选择比以规定的值保持一定。
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公开(公告)号：CN114121717A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110961296.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置。稳定地实施利用添加有添加剂的磷酸水溶液进行的蚀刻处理。本公开的一技术方案的基板处理装置包括内槽、外槽、盖体以及液体接触构件。内槽在上部具有开口部，该内槽供基板浸渍于处理液。外槽配置于内槽的外侧，该外槽接收从开口部流出的处理液。盖体对开口部进行开闭。液体接触构件具有疏水性，该液体接触构件配置于在含有泡的处理液从内槽向外槽流出时与处理液接触的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118231325A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410274298.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部与支承体一起利用升降机构升降，限制基板相对于支承体向上方移动。
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公开(公告)号：CN111640661B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202010107820.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/263 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
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公开(公告)号：CN115692250A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210863858.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本田拓巳
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理槽，其用于将基板浸在含有硅酸化合物和磷酸的处理液中来对基板进行处理；液量传感器，其测定贮存于处理槽的处理液的贮存量；浓度传感器，其测定贮存于处理槽的处理液中的磷酸浓度；磷酸供给部，其向处理槽供给含有磷酸的磷酸水溶液；纯水供给部，其向处理槽供给纯水；排出部，其从处理槽排出处理液；以及控制部，其控制各部。另外，控制部具有：排出量维持部，其将从排出部排出的处理液的每单位时间的排出量维持为给定值；以及供给量控制部，其控制从磷酸供给部和纯水供给部向处理槽分别供给的磷酸水溶液和纯水的供给量，以将处理槽中的处理液的贮存量和磷酸浓度维持为给定值。
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公开(公告)号：CN111640661A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010107820.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/263 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
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公开(公告)号：CN119422230A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380049367.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本田拓巳
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 实施方式所涉及的基板处理装置(1)具备冲洗槽(62)、处理槽(61)、获取部(10a)、浓度调整部(140)以及浓度控制部(10b)。冲洗槽(62)是贮存包含水分的冲洗液的槽，冲洗槽(62)通过使具有无机膜的多个基板(W)浸渍于所贮存的冲洗液来对多个基板(W)进行冲洗处理。处理槽(61)是贮存磷酸处理液的槽，处理槽(61)通过使冲洗处理后的多个基板(W)浸渍于所贮存的磷酸处理液来对多个基板(W)进行蚀刻处理。获取部(10a)获取被一并浸渍于处理槽(61)的基板(W)的张数。浓度调整部(10b)调整贮存于处理槽(61)的磷酸处理液的浓度。浓度控制部(140)基于由获取部(10a)获取到的基板(W)的张数来获取与多个基板(W)一起被带入处理槽(61)的冲洗液的量即带入量，并基于该带入量控制浓度调整部(140)来调整磷酸处理液的浓度。
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