公开(公告)号：CN113675080A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110498711.6

申请日：2021-05-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  菊岛悟 ,  须贺隆之 ,  林军 ,  朱澄亚

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期间的至少一部分不与第一期间重叠；以及对通过供给碱性气体和含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。

公开(公告)号：CN120072642A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510126646.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  菊岛悟 ,  须贺隆之 ,  林军 ,  朱澄亚

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期间的至少一部分不与第一期间重叠；以及对通过供给碱性气体和含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。

公开(公告)号：CN110581067A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910471001.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  菊岛悟 ,  中込健 ,  小泽淑惠 ,  林军

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供在不发生基于反应产物的蚀刻抑制的情况下能够以高选择比对基板上的材料进行化学蚀刻的蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的蚀刻方法具备如下工序：在腔室内设置基板的工序，该基板具有硅氧化物系材料和其它材料，且硅氧化物系材料具有蚀刻对象部位，蚀刻对象部位具有10nm以下的宽度、并且具有10以上的深宽比；将HF气体及含OH气体供给至基板，相对于其它材料选择性地对蚀刻对象部位进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN110581067B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201910471001.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  菊岛悟 ,  中込健 ,  小泽淑惠 ,  林军

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67