薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN101198906B

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN200680003206.3

    申请日:2006-02-01

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/0045 G03F7/0397 Y10S430/106

    Abstract: 本发明涉及一种薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物,其特征在于该薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物包含:具有酸解离性溶解抑制基团且通过酸的作用碱溶解性增加的树脂成分(A)、通过照射放射线产生酸的酸产生剂成分(B)和具有放射线吸收能力的化合物(C),其中,所述树脂成分(A)具有由羟基苯乙烯衍生的结构单元(a1)和所述结构单元(a1)的羟基的氢原子被酸解离性溶解抑制基团取代的结构单元(a2),所述酸解离性溶解抑制基团含有下述通式(II)表示的酸解离性溶解抑制基团(II)为主要成分。式中,X表示脂肪族环式基团、芳香族环式烃基或碳原子数为1~5的烷基,R1表示碳原子数为1~5的烷基,或X和R1也可以各自独立地表示碳原子数为1~5的亚烷基且X的末端与R1的末端键合,R2表示碳原子数为1~5的烷基或氢原子。

    薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN101198906A

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200680003206.3

    申请日:2006-02-01

    CPC classification number: G03F7/0392 G03F7/0045 G03F7/0397 Y10S430/106

    Abstract: 本发明涉及一种薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物,其特征在于该薄膜植入法用正型抗蚀剂组合物包含:具有酸解离性溶解抑制基团且通过酸的作用碱溶解性增加的树脂成分(A)、通过照射放射线产生酸的酸产生剂成分(B)和具有放射线吸收能力的化合物(C),其中,所述树脂成分(A)具有由羟基苯乙烯衍生的结构单元(a1)和所述结构单元(a1)的羟基的氢原子被酸解离性溶解抑制基团取代的结构单元(a2),所述酸解离性溶解抑制基团含有上述通式(Ⅱ)表示的酸解离性溶解抑制基团(Ⅱ)为主要成分。式中,X表示脂肪族环式基团、芳香族环式烃基或碳原子数为1~5的烷基,R1表示碳原子数为1~5的烷基,或X和R1也可以各自独立地表示碳原子数为1~5的亚烷基且X的末端与R1的末端键合,R2表示碳原子数为1~5的烷基或氢原子。

    抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN116583784A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202180083315.5

    申请日:2021-12-21

    Abstract: 一种抗蚀剂组合物,其含有:具有包含酚性羟基的结构单元(a10)的高分子化合物(A1)、产酸剂(B)、从由三聚氰胺类交联剂、尿素类交联剂、亚烷基尿素类交联剂、甘脲类交联剂及环氧类交联剂构成的组中选择的至少1种交联剂(C)、聚醚化合物(Z),所述聚醚化合物(Z)的含量相对于100质量份所述高分子化合物(A1)小于50质量份。

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