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公开(公告)号：CN107851587B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201680039828.5
申请日：2016-07-08
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 目的在于提供半导体安装装置，其对因将芯片部件固定在电路基板上而导致的加压头的经时变化进行把握，能够抑制产生以经时变化所导致的加压状态的偏差为原因的芯片部件的接合不良。具体而言，半导体安装装置(1)具有对芯片部件(D)进行加压而固定在电路基板(C)的规定的位置即能够临时压焊的位置(Pt)上的加压头即正式压焊用头(17)，根据正式压焊用头(17)相对于电路基板(C)的位置计算出在该位置由正式压焊用头(17)同时进行加压的芯片部件(D)的数量并根据所述芯片部件(D)的数量来变更正式压焊用头(17)的加压力即正式压焊负载(Fp)而由正式压焊用头(17)对芯片部件(D)进行加压，并且累计进行了加压的次数即加压次数(Np)。
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公开(公告)号：CN109155262A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780032721.2
申请日：2017-03-21
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 提供安装装置和安装方法，当对利用热硬化性树脂临时固定在硅晶片等热传导率高的基板上的半导体芯片进行热压接时，不会给热压接对象以外的半导体芯片带来不良影响。具体而言，提供安装装置和安装方法，该安装装置对借助热硬化性粘接剂而临时固定在基板上的多个半导体芯片进行热压接，其中，该安装装置具有：压接头，其用作按压面，将包含一个以上的半导体芯片的区域作为加压区域进行按压；压接台，其从所述基板的背面对所述加压区域进行支承；以及冷却单元，其对与所述加压区域的周围相邻的半导体芯片进行冷却。
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公开(公告)号：CN109155261B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780032715.7
申请日：2017-03-21
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/34
Abstract: 课题在于提高半导体装置制造中的生产率。具体而言，半导体装置的制造方法将半导体芯片(4)和基板(1)电连接，在半导体芯片(4)的第2主面上形成有凸块(5)，在基板(1)的第1主面上形成有电极焊盘(2)，该半导体装置的制造方法构成为具有如下的工序：(A)临时配置工序，得到借助粘接剂(7)使凸块(5)与电极焊盘(2)对置而成的临时配置体(8)；(B)检查工序，对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)的位置偏移进行检查，确定位置偏移半导体芯片，该位置偏移半导体芯片的位置偏移不在规定的范围内；(C)位置修正工序，若存在位置偏移半导体芯片，则使该位置偏移半导体芯片移动而对位置进行修正；以及(D)连接工序，对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)进行加热、加压而将该半导体芯片(4)的凸块(5)与基板(1)的电极焊盘(2)电连接，并且使粘接剂(7)硬化。
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公开(公告)号：CN109478522A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780045370.9
申请日：2017-08-03
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 提供安装装置，当对临时固定在半导体晶片基板上的半导体芯片进行热压接而进行安装时，确保热压接位置的对位精度，并且不容易产生因半导体晶片基板面内位置导致的安装品质上的差异。具体而言，提供安装装置，其具有：保持部，其局部地对半导体晶片基板进行把持；压接头，其将半导体芯片热压接在被所述保持部把持的所述半导体晶片基板上；以及支承台，其在所述压接头进行热压接的区域中对所述半导体晶片基板从相反面进行支承，所述保持部具有由热传导率为1W/mK以下的部件构成的吸附单元，该吸附单元对所述半导体晶片基板的相反面进行吸附。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109155304B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780032694.9
申请日：2017-03-21
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 课题在于提高半导体装置制造中的生产率。具体而言，构成为具有如下的工序：使形成在临时基板上所配置的半导体芯片(54)的第1主面上的电极焊盘(55)与形成在新的半导体芯片(4)的第2主面上的凸起(5)对置并借助第1粘接剂(7)进行临时配置而得到多个临时配置体(8)；然后对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)与半导体芯片(54)的位置偏移进行检查，将位置偏移在规定的范围内的临时配置体(8)确定为选择临时配置体；将一部分的选择临时配置体从临时基板分离并使其重叠在临时基板上所残留的选择临时配置体上，借助第2粘接剂(107)进行临时配置而得到多层临时配置体(108)；然后进行连接工序，一并对多层临时配置体(108)中的各半导体芯片进行加热、加压而将半导体芯片间的凸起与电极焊盘电连接，并且使半导体芯片间的第1和第2粘接剂硬化。
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公开(公告)号：CN109155304A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780032694.9
申请日：2017-03-21
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 课题在于提高半导体装置制造中的生产率。具体而言，构成为具有如下的工序：使形成在临时基板上所配置的半导体芯片(54)的第1主面上的电极焊盘(55)与形成在新的半导体芯片(4)的第2主面上的凸起(5)对置并借助第1粘接剂(7)进行临时配置而得到多个临时配置体(8)；然后对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)与半导体芯片(54)的位置偏移进行检查，将位置偏移在规定的范围内的临时配置体(8)确定为选择临时配置体；将一部分的选择临时配置体从临时基板分离并使其重叠在临时基板上所残留的选择临时配置体上，借助第2粘接剂(107)进行临时配置而得到多层临时配置体(108)；然后进行连接工序，一并对多层临时配置体(108)中的各半导体芯片进行加热、加压而将半导体芯片间的凸起与电极焊盘电连接，并且使半导体芯片间的第1和第2粘接剂硬化。
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公开(公告)号：CN109155261A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780032715.7
申请日：2017-03-21
Applicant: 东丽工程株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/34
Abstract: 课题在于提高半导体装置制造中的生产率。具体而言，半导体装置的制造方法将半导体芯片(4)和基板(1)电连接，在半导体芯片(4)的第2主面上形成有凸块(5)，在基板(1)的第1主面上形成有电极焊盘(2)，该半导体装置的制造方法构成为具有如下的工序：(A)临时配置工序，得到借助粘接剂(7)使凸块(5)与电极焊盘(2)对置而成的临时配置体(8)；(B)检查工序，对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)的位置偏移进行检查，确定位置偏移半导体芯片，该位置偏移半导体芯片的位置偏移不在规定的范围内；(C)位置修正工序，若存在位置偏移半导体芯片，则使该位置偏移半导体芯片移动而对位置进行修正；以及(D)连接工序，对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)进行加热、加压而将该半导体芯片(4)的凸块(5)与基板(1)的电极焊盘(2)电连接，并且使粘接剂(7)硬化。
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公开(公告)号：CN107851587A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680039828.5
申请日：2016-07-08
Applicant: 东丽工程株式会社
Abstract: 目的在于提供半导体安装装置，其对因将芯片部件固定在电路基板上而导致的加压头的经时变化进行把握，能够抑制产生以经时变化所导致的加压状态的偏差为原因的芯片部件的接合不良。具体而言，半导体安装装置(1)具有对芯片部件(D)进行加压而固定在电路基板(C)的规定的位置即能够临时压焊的位置(Pt)上的加压头即正式压焊用头(17)，根据正式压焊用头(17)相对于电路基板(C)的位置计算出在该位置由正式压焊用头(17)同时进行加压的芯片部件(D)的数量并根据所述芯片部件(D)的数量来变更正式压焊用头(17)的加压力即正式压焊负载(Fp)而由正式压焊用头(17)对芯片部件(D)进行加压，并且累计进行了加压的次数即加压次数(Np)。
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