公开(公告)号：CN105177534A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510567350.0

申请日：2015-09-08

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 刘凯 ,  杨旭一 ,  高翔 ,  王立春

IPC: C23C18/18

Abstract: 本发明提供一种铝硅合金TR组件盒体化学镀覆镍金的前处理方法，包括以下步骤：a.超声除油：将铝硅合金T/R组件盒体置于丙酮中超声清洗；b.超声水洗：将所述盒体置于流动纯水中漂洗，之后在纯水中超声清洗；c.超声浸锌：将所述盒体置于浸锌溶液中超声浸锌；d.超声水洗：将所述盒体置于流动纯水中漂洗，之后在纯水中超声清洗；e.超声退锌：将所述盒体置于稀硝酸溶液中超声退锌；f.超声水洗：将所述盒体置于流动纯水中漂洗，之后在纯水中超声清洗直至所述盒体表面无硅灰冒出为止。与现有技术相比，本发明的前处理方法不需要用到氢氟酸、氟化氢铵等强腐蚀性药品，可降低操作过程中的安全隐患，且前处理流程简单。

公开(公告)号：CN111430458A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010349428.2

申请日：2020-04-28

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 化宁 ,  王真昊 ,  沈亚飞 ,  王佳 ,  章泉源 ,  杜祥裕 ,  王茂森 ,  高翔 ,  姚崇斌 ,  黄硕 ,  麻仕豪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN111430458B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202010349428.2

申请日：2020-04-28

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 化宁 ,  王真昊 ,  沈亚飞 ,  王佳 ,  章泉源 ,  杜祥裕 ,  王茂森 ,  高翔 ,  姚崇斌 ,  黄硕 ,  麻仕豪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN105132924A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510568567.3

申请日：2015-09-09

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 刘凯 ,  杨旭一 ,  高翔 ,  王立春

IPC: C23F17/00 ,  C21D9/00

Abstract: 铝硅合金封装盒体是雷达微波组件的重要组成部分，起着机械支撑、信号传输、散热通道、芯片和基板保护等重要作用。为满足盒体导电、焊接和密封的要求，一般对其表面镀覆镍、金层，因此盒体表面镀层质量对微波组件的整体性能非常重要。本发明涉及一种铝硅材料微波组件盒体化学镀镍、电镀镍、电镀金膜层的表面处理方法，该处理方法首次在铝硅合金盒体的表面镀层处理过程中，在化学镀镍后引入热处理和除氧化层步骤，从而达到使由此制作的盒体电镀镍、金后经300℃烘烤15min膜层不变色、不起泡的效果。

公开(公告)号：CN105039980A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510567348.3

申请日：2015-09-08

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 刘凯 ,  杨旭一 ,  高翔 ,  王立春

IPC: C23C28/02 ,  C23C18/36 ,  C25D3/12 ,  C25D3/48 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50

Abstract: 本发明提供一种铝硅合金材料微波组件镀覆镍金的处理方法，包括以下步骤：a.前处理：先将铝硅合金材料微波组件依次清洗、漂洗、碱洗、水洗、酸洗和水洗；b.化学镀镍：将所述组件置于化学镀镍溶液中化学镀，然后用流动的纯水漂洗；c.电镀镍:将所述组件置于电镀镍溶液中电镀，然后用流动的纯水漂洗；d.电镀金：将所述组件置于电镀金溶液中电镀，然后用流动的纯水漂洗，之后用酒精脱水；e.热处理：将所述组件置于烘箱中进行热处理，烘箱内的升温速率为≤10℃/min，升温至250-300℃，保温时间为60-120min，之后在烘箱内自然冷却。本发明的处理方法在进行热处理时只进行一步式热处理，不需氢气气氛保护，工艺流程简单，且热处理温度较低，安全性较高。