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公开(公告)号：CN105177534A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510567350.0
申请日：2015-09-08
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: C23C18/18
Abstract: 本发明提供一种铝硅合金TR组件盒体化学镀覆镍金的前处理方法，包括以下步骤：a.超声除油：将铝硅合金T/R组件盒体置于丙酮中超声清洗；b.超声水洗：将所述盒体置于流动纯水中漂洗，之后在纯水中超声清洗；c.超声浸锌：将所述盒体置于浸锌溶液中超声浸锌；d.超声水洗：将所述盒体置于流动纯水中漂洗，之后在纯水中超声清洗；e.超声退锌：将所述盒体置于稀硝酸溶液中超声退锌；f.超声水洗：将所述盒体置于流动纯水中漂洗，之后在纯水中超声清洗直至所述盒体表面无硅灰冒出为止。与现有技术相比，本发明的前处理方法不需要用到氢氟酸、氟化氢铵等强腐蚀性药品，可降低操作过程中的安全隐患，且前处理流程简单。
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公开(公告)号：CN103426871A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310316422.5
申请日：2013-07-25
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/98 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种高密度混合叠层封装结构，其包括：封装基板载体，依次顺序堆叠在所述封装基板载体上的底层芯片、芯片插入层基板以及倒装芯片，以及堆叠在所述倒装芯片上的至少一层顶层芯片；其中所述芯片插入层基板表面通过薄膜布线与所述顶层芯片电连接；本发明还提供了一种高密度混合叠层封装结构的制作方法。本发明解决了尺寸差异较大芯片和不同互连方式芯片（引线键合方式和倒装方式）的混合叠层问题,本发明同时实现分部独立叠层加工与测试，即先在插入层基板上进行芯片叠层，再将该叠层体作为独立部分完成与底层芯片进行叠层，提高了高密度混合叠层封装的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105132924A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510568567.3
申请日：2015-09-09
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 铝硅合金封装盒体是雷达微波组件的重要组成部分，起着机械支撑、信号传输、散热通道、芯片和基板保护等重要作用。为满足盒体导电、焊接和密封的要求，一般对其表面镀覆镍、金层，因此盒体表面镀层质量对微波组件的整体性能非常重要。本发明涉及一种铝硅材料微波组件盒体化学镀镍、电镀镍、电镀金膜层的表面处理方法，该处理方法首次在铝硅合金盒体的表面镀层处理过程中，在化学镀镍后引入热处理和除氧化层步骤，从而达到使由此制作的盒体电镀镍、金后经300℃烘烤15min膜层不变色、不起泡的效果。
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公开(公告)号：CN105039980A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510567348.3
申请日：2015-09-08
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明提供一种铝硅合金材料微波组件镀覆镍金的处理方法，包括以下步骤：a.前处理：先将铝硅合金材料微波组件依次清洗、漂洗、碱洗、水洗、酸洗和水洗；b.化学镀镍：将所述组件置于化学镀镍溶液中化学镀，然后用流动的纯水漂洗；c.电镀镍:将所述组件置于电镀镍溶液中电镀，然后用流动的纯水漂洗；d.电镀金：将所述组件置于电镀金溶液中电镀，然后用流动的纯水漂洗，之后用酒精脱水；e.热处理：将所述组件置于烘箱中进行热处理，烘箱内的升温速率为≤10℃/min，升温至250-300℃，保温时间为60-120min，之后在烘箱内自然冷却。本发明的处理方法在进行热处理时只进行一步式热处理，不需氢气气氛保护，工艺流程简单，且热处理温度较低，安全性较高。
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公开(公告)号：CN103426871B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310316422.5
申请日：2013-07-25
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/98 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种高密度混合叠层封装结构，其包括：封装基板载体，依次顺序堆叠在所述封装基板载体上的底层芯片、芯片插入层基板以及倒装芯片，以及堆叠在所述倒装芯片上的至少一层顶层芯片；其中所述芯片插入层基板表面通过薄膜布线与所述顶层芯片电连接；本发明还提供了一种高密度混合叠层封装结构的制作方法。本发明解决了尺寸差异较大芯片和不同互连方式芯片（引线键合方式和倒装方式）的混合叠层问题,本发明同时实现分部独立叠层加工与测试，即先在插入层基板上进行芯片叠层，再将该叠层体作为独立部分完成与底层芯片进行叠层，提高了高密度混合叠层封装的成品率。
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公开(公告)号：CN105244313A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510566421.5
申请日：2015-09-08
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76816
Abstract: 本发明提出了一种基板上薄膜通孔互连制作方法，在干净的基板上表面上溅射复合粘附层；在复合粘附层之上进行光刻，形成薄膜导带光刻图形；电镀复合金属层，并在表面电镀Cu层；去胶；在Cu层之上对应通孔柱位置处进行光刻，形成薄膜通孔光刻图形；湿法腐蚀，将裸露表面的Cu层和复合粘附层去除；去胶；旋涂苯丙环丁烯、显影处理，光刻介质膜通孔图形；利用超声显影方法，去除显影残留；湿法腐蚀，去除对应薄膜通孔处裸露的Cu层，在线监控基板直至全部薄膜通孔内裸露出复合金属层；固化BCB介质层，完成基板的薄膜通孔互连。克服了现有技术的工艺复杂、接触电阻大、可靠性低、无法实现在线通孔通断检测等问题，可实现薄膜多层布线的高密度通孔互连。
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公开(公告)号：CN104183683A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310197475.X
申请日：2013-05-24
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L25/075 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L33/647 , H01L33/62 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种基于铝基复合材料基板的多芯片LED封装方法。该方法以具有高导热性的铝基复合材料为基板，基板上生长一层铝膜，通过对衬底选择性阳极氧化，生成多孔型氧化铝层，然后通过薄膜工艺制作导体布线与电极焊区，再进行LED芯片的微组装与微互连，最后是透明外壳的封装。本发明解决了LED芯片的散热问题，热量可通过多孔型散热通道直接传到铝基复合材料衬底上散出，使得散热路径大幅缩短，散热效果好。
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