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公开(公告)号：CN114628196B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202210119807.1
申请日：2022-02-09
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01H47/02
Abstract: 本发明公开了一种新型继电器控制电路，包括：第一继电器、第二继电器和第三继电器，所述第一继电器、第二继电器和第三继电器并联连接且分别和电源连接；所述第一继电器、第二继电器及第三继电器均包括2组开关单元，所述第一继电器的第二开关单元和所述第二继电器的第二开关单元串联连接，所述第一继电器的第一开关单元和所述第三继电器的第一开关单元串联连接，所述第二继电器的第一开关单元和所述第三继电器的第二开关单元串联连接。这样，有效地避免了由于继电器故障而导致整个控制电路失效，提高了继电器控制电路的可靠性；具有电路简单，易实现的特点，并具有一定的通用性，可广泛应用于卫星通信、雷达、测控、导航、对抗等电子系统中。
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公开(公告)号：CN111430459A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010350285.7
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。
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公开(公告)号：CN106159404B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610871225.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明公开了一种非均匀微带线至带状线过渡结构，包括：金属层及介质层，金属层层数为N，N≥4，N层金属层依次堆叠设置，介质层的层数为N‑1，介质层设置于每相邻两层金属层之间；还包括：非均匀输入微带线、非均匀输出微带线、带状线、圆形槽及信号盲孔；非均匀输入、输出微带线设置于第一层金属层上；当金属层层数N＝4，带状线设置于第三层金属层上，圆形槽设置于第二层金属层上；当金属层层数N>4，带状线设置于第三至第N‑1层之间的任意一层金属层上，圆形槽设置于第二至带状线所在的金属层之间的任意一层上；信号盲孔的垂直投影位于圆形槽的垂直投影内；信号盲孔用于连接带状线与非均匀输入、输出微带。本发明能够非均匀微带线结构。
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公开(公告)号：CN104597467A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510057939.6
申请日：2015-02-04
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: G01S19/33
Abstract: 本发明公开一种基于相控阵的GNSS-R探测装置及方法，该装置包括：由左旋天线阵列、右旋天线阵列及射频前端组成的双面相控阵天线，左旋天线阵列与右旋天线阵列背靠背，射频前端安装于左旋天线阵列和右旋天线阵列之间；由多通道射频接收单元及相关器单元组成的多普勒延迟映射接收机。双面相控阵天线接收信号，送给多普勒延迟映射接收机进行处理。该方法包括：设置双面相控阵天线及多普勒延迟映射接收机，多普勒延迟映射接收机根据设置完成导航卫星的选择及镜面反射点预测，向双面相控阵天线发送波束指向控制指令，使其波束指向所需的角度。本发明的基于相控阵的GNSS-R探测装置及方法可覆盖多个海面区域，扩大了刈幅，提高了时间分辨率。
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公开(公告)号：CN111430459B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010350285.7
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111430458B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010349428.2
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN113381701B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110743088.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明公开了一种微波固态功率放大器，包括盒体、盖体、功率输出电路、耦合电路、匹配电路和检波电路，功率输出电路、耦合电路、匹配电路和检波电路均设置在盒体内，功率输出电路包括末级功率放大器、第一电容和输出隔离器；匹配电路包括固定衰减器和匹配微带线；微波信号由末级功率放大器放大后，经由第一电容一路传输至输出隔离器输出，另一路经过耦合电路，耦合电路产生耦合微波信号经由固定衰减器和匹配微带线后进入检波电路产生检波电平。本发明实现使微波固态功放输出端口耦合检波电平稳定且不易受到干扰。
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公开(公告)号：CN106998193B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201710226941.0
申请日：2017-04-06
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明公开了S频段中继功放滤波器集成结构，包括盒体、第一腔体滤波器、第二腔体滤波器、集成电路，盒体包括底座以及设置在底座上的U形的隔离围栏，集成电路设置在隔离围栏内部的底座的表面；集成电路包括两路功率放大电路，隔离围栏的U形结构将两路功率放大电路隔离，末端通过腔体滤波器与盒体侧壁、盖板实现两路功率放大电路隔离。盒体上的隔离围栏采用U形结构设计，加上铝合金材料的特性可以有效的屏蔽两路功率放大电路之间的电磁干扰，使双通道的功率放大器得以实现；铝合金的盒体保证了器件的散热性能，提高了电路的可靠性；具有小型化、高集成等优点；采用柔性基板，提高电路的可靠性，适用于宇航产品。
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公开(公告)号：CN113381701A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110743088.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 上海航天测控通信研究所
Abstract: 本发明公开了一种微波固态功率放大器，包括盒体、盖体、功率输出电路、耦合电路、匹配电路和检波电路，功率输出电路、耦合电路、匹配电路和检波电路均设置在盒体内，功率输出电路包括末级功率放大器、第一电容和输出隔离器；匹配电路包括固定衰减器和匹配微带线；微波信号由末级功率放大器放大后，经由第一电容一路传输至输出隔离器输出，另一路经过耦合电路，耦合电路产生耦合微波信号经由固定衰减器和匹配微带线后进入检波电路产生检波电平。本发明实现使微波固态功放输出端口耦合检波电平稳定且不易受到干扰。
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公开(公告)号：CN111430458A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010349428.2
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海航天测控通信研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。
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