公开(公告)号：CN111430458B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202010349428.2

申请日：2020-04-28

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 化宁 ,  王真昊 ,  沈亚飞 ,  王佳 ,  章泉源 ,  杜祥裕 ,  王茂森 ,  高翔 ,  姚崇斌 ,  黄硕 ,  麻仕豪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN107966689A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711206618.3

申请日：2017-11-27

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 张理正 ,  原浩娟 ,  陈凯 ,  沈玮 ,  李振海 ,  麻仕豪 ,  孙斌 ,  涂振斌 ,  张鑫裴 ,  程隽隽

IPC: G01S7/40 ,  G01S13/02

CPC classification number: G01S7/4004 ,  G01S13/0209 ,  G01S2013/0245

Abstract: 本发明公开了一种宽带相控阵的延时电路组，包括延时电路、收/发电路、波控电路以及电源电路；收/发电路包括信号接收支路和信号发射支路；延时电路用于对收/发电路的收/发信号进行延时补偿；波控电路接收控制终端的控制指令控制延时电路的延时量以及控制收/发电路接收信号或者发射信号；电源电路给延时电路、收/发电路、波控电路提供供电。一种宽带相控阵的延时组件，包括盒体、用于密封盒体的盖板、设在盒体内的微波多层基板、设在微波多层基板表面的延时电路组，延时电路组为上述宽带相控阵的延时电路组。一种宽带相控阵雷达，使用延时组件对宽带相控阵雷达的相控阵天线收/发信号进行延时补偿。

公开(公告)号：CN111430458A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010349428.2

申请日：2020-04-28

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 化宁 ,  王真昊 ,  沈亚飞 ,  王佳 ,  章泉源 ,  杜祥裕 ,  王茂森 ,  高翔 ,  姚崇斌 ,  黄硕 ,  麻仕豪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式栅和槽栅，槽栅的刻蚀区域边界距离相应的鳍式栅的顶栅区域边界的距离小于100nm；栅电极与若干层AlGaAs/GaAs异质结的顶部及两个侧壁之间还包括绝缘介质层。本发明同时采用了三维鳍栅与凹形槽栅结构，使得栅不仅从上端对沟道进行控制，而且100nm以内的栅宽使得三维鳍栅电极能从侧面对沟道电子进行控制，明显加强栅控能力，提高器件跨导和器件增益能力；同时引入绝缘介质层，能有效降低由于鳍式结构刻蚀与槽栅刻蚀引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，提高器件的击穿电压。