公开(公告)号：CN104950585B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201410114022.0

申请日：2014-03-25

Applicant: 上海微电子装备有限公司

Inventor： 韦婧宇 ,  聂宏飞 ,  张洪博 ,  赵旭

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种浸液限制机构，包括第一水平供液通道、第一水平出液通道、垂直供液通道、气液回收通道及供气通道，第一水平供液通道和第一水平出液通道相对设置，垂直供液通道、气液回收通道和供气通道的出口由内向外依次排列于浸液限制机构的底部，第一水平供液通道、垂直供液通道分别连接至供液设备，第一水平出液通道和气液回收通道分别连接至气液回收设备，供气通道连接至供气设备，还包括与供液设备连接的第二水平供液通道和与气液回收设备连接的第二水平出液通道。本发明通过增设第二水平供液通道和第二水平出液通道，并对其位置和尺寸进行约束，改善主流场的流速及均匀性，并减小曝光场的压力波动，防止压力波动对浸液焦深及套刻的影响。

公开(公告)号：CN104635429B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310563528.5

申请日：2013-11-14

Applicant: 上海微电子装备有限公司

Inventor： 龚辉 ,  许琦欣 ,  张洪博 ,  韦婧宇 ,  聂宏飞

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提出一种用于光刻设备的掩模重力补偿装置，其特征在于，包括：一掩模，该掩模通过位于掩模下方分布于两侧的吸附装置放置于一掩模台上，该掩模的上表面设置两个水平位置固定的吸附条，根据该掩模运动时的不同位置，调整该吸附条的压力值，以补偿该掩模因自身重量产生的形变；所述吸附条通过调节与其连接的流量控制器、比例调压阀或磁服阀来控制吸附条的抽速。

公开(公告)号：CN104950585A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410114022.0

申请日：2014-03-25

Applicant: 上海微电子装备有限公司

Inventor： 韦婧宇 ,  聂宏飞 ,  张洪博 ,  赵旭

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种浸液限制机构，包括第一水平供液通道、第一水平出液通道、垂直供液通道、气液回收通道及供气通道，第一水平供液通道和第一水平出液通道相对设置，垂直供液通道、气液回收通道和供气通道的出口由内向外依次排列于浸液限制机构的底部，第一水平供液通道、垂直供液通道分别连接至供液设备，第一水平出液通道和气液回收通道分别连接至气液回收设备，供气通道连接至供气设备，还包括与供液设备连接的第二水平供液通道和与气液回收设备连接的第二水平出液通道。本发明通过增设第二水平供液通道和第二水平出液通道，并对其位置和尺寸进行约束，改善主流场的流速及均匀性，并减小曝光场的压力波动，防止压力波动对浸液焦深及套刻的影响。

公开(公告)号：CN104635429A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310563528.5

申请日：2013-11-14

Applicant: 上海微电子装备有限公司

Inventor： 龚辉 ,  许琦欣 ,  张洪博 ,  韦婧宇 ,  聂宏飞

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提出一种用于光刻设备的掩模重力补偿装置，其特征在于，包括：一掩模，该掩模通过位于掩模下方分布于两侧的吸附装置放置于一掩模台上，该掩模的上表面设置两个水平位置固定的吸附条，根据该掩模运动时的不同位置，调整该吸附条的压力值，以补偿该掩模因自身重量产生的形变；所述吸附条通过调节与其连接的流量控制器、比例调压阀或磁服阀来控制吸附条的抽速。