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公开(公告)号：CN103293864A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210046182.7
申请日：2012-02-27
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及光刻机的技术领域，尤其涉及一种光刻曝光剂量的控制装置及控制方法，包括光源、可动刀片及镜头组，三者依次排列，所述光刻曝光剂量的控制装置还包括一设置在上述三者的光路中的可变衰减装置，所述可变衰减装置上排列设有若干通孔，所述若干通孔沿所述可变衰减装置的运动方向逐渐变化，当所述光源光强一定时，通过改变所述可变衰减装置自身的位置或角度使所述可变衰减装置的衰减率均匀变化，对所述光刻曝光剂量作补偿。本发明提供的光刻曝光剂量的控制装置及控制方法，能够降低汞灯电源控制器的设计复杂度，并可提高光刻曝光剂量精度。
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公开(公告)号：CN101566801B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910052185.X
申请日：2009-05-27
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种防止镜片碰撞的方法及装置，通过判断镜片的运动方向，合理安排镜片的运动顺序，从而达到防止镜片发生碰撞的效果。另外，所述防止镜片碰撞的装置还可增设探测模块来加以保障，结构简单可靠，不需要严格的机械安装条件的限制，并且不会出现误判的情况，即使在断电装调过程中也不会出现误操作导致可动镜片损毁，同时能够降低维护和修理成本。
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公开(公告)号：CN101308332A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810039958.6
申请日：2008-07-01
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种控制光刻曝光剂量的方法及其系统。本发明所提供的控制光刻曝光剂量的方法是利用多个脉冲的平均波动性低于曝光精度要求的特性，通过选择曝光的激光脉冲的个数来控制光刻曝光剂量精度，并进一步决定衰减率，最后进行曝光。使用该方法的控制光刻曝光剂量的系统主要包括激光器、衰减器、控制器以及能量传感器，系统具有结构相对简单的优点，并且结合其控制光刻曝光剂量的方法使用能大大提高光刻曝光剂量精度。
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公开(公告)号：CN103906328A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586799.8
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: H05B41/14
Abstract: 本发明公开了一种高压触发装置及其高压触发方法，该装置包括触发器、程控电源、启动电源以及控制系统，所述触发器的原边与所述启动电源连接，所述触发器的副边与汞灯和程控电源连接，所述控制系统控制所述启动电源和程控电源，较佳的，所述高压触发装置还包括第一控制开关，所述第一控制开关的两端分别与所述触发器副边的两端相连，且所述第一控制开关由所述控制系统控制。本发明实现了在触发器完成点亮汞灯任务后，利用第一控制开关分担触发器的副边的电流，触发器的副边无需长时间承受过大的电流，因此也不会产生大量的热量，使得触发器在寿命、体积和EMC方面都有较大的提高和改进。
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公开(公告)号：CN103676483A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210319549.8
申请日：2012-09-03
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于光刻曝光中的光强调节装置，包括：汞灯光源，位于灯室内，用于提供该光刻装置的光源；可动反射镜组，位于灯室出光口处，包括至少一个可动镜片，用于汇聚所述光源的散射光束；能量传感器，用于测量所述基底表面的光功率；控制器，用于信号检测、运算以及发送命令；所述控制器与所述汞灯光源、所述可动反射镜组以及所述能量传感器连接，所述汞灯光源发出的散射光束经所述可动反射镜组后进入所述后继光路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102081307B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910199446.0
申请日：2009-11-26
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明的光刻机曝光剂量控制方法，包括以下步骤：步骤1，向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件；所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req；步骤2，光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析，选择偏好数学模型进行运算，得到剂量控制参数；步骤3，光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数，控制光刻机进行曝光。本发明的光刻机曝光剂量控制方法灵活性强，测试过程中，操作简单、直观。
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公开(公告)号：CN102914946B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110222159.4
申请日：2011-08-04
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光刻装置能量传感器，包括：取样光学部分，对照明系统中的光线进行取样；光谱转换部分，将取样光线中的深紫外脉冲转换成可见光脉冲；光电转换部分，将可见光脉冲信号转换为电流信号；以及差分放大输出部分，将电流信号放大成电压信号输出。本发明的光刻装置能量传感器，能够实现大范围辐射波长的转换，提高辐射能量转换的线性度和能量密度的探测精度，从而提高光刻装置的剂量控制性能和生产良率。
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公开(公告)号：CN103631066A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210296891.0
申请日：2012-08-21
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 一种用于光刻曝光的快门装置及其使用方法，包括固定叶片和可动叶片，所述固定叶片和所述可动叶片上分布有孔洞，固定叶片和可动叶片在光束照射区域内的孔洞分布相同，所述可动叶片可通过相对于所述固定叶片运动，使所述可动叶片孔洞与所述固定叶片孔洞由不相交至重合或部分重合，实现快门的开闭。将所述可动叶片孔洞与所述固定叶片孔洞完全交错分开状态设置为快门关闭状态，此时可动叶片的位置为关闭位置；确定曝光剂量范围，将曝光剂量范围分段；确定各个曝光剂量段的可动叶片位置；根据曝光设定剂量，控制可动叶片在所述关闭位置和所述曝光设定剂量所属的曝光剂量段的可动叶片位置之间移动。本发明可以减少曝光时间，提高光束功率的均匀性。
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公开(公告)号：CN102914946A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110222159.4
申请日：2011-08-04
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光刻装置能量传感器，包括：取样光学部分，对照明系统中的光线进行取样；光谱转换部分，将取样光线中的深紫外脉冲转换成可见光脉冲；光电转换部分，将可见光脉冲信号转换为电流信号；以及差分放大输出部分，将电流信号放大成电压信号输出。本发明的光刻装置能量传感器，能够实现大范围辐射波长的转换，提高辐射能量转换的线性度和能量密度的探测精度，从而提高光刻装置的剂量控制性能和生产良率。
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公开(公告)号：CN102831572A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110164987.7
申请日：2011-06-17
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 本发明涉及一种图像采集和处理系统，包括图像传感器和现场可编程门阵列电路，所述现场可编程门阵列电路包括嵌入式软核处理器和图像处理模块，所述图像处理模块用于处理所述图像传感器采集的图像数据，所述嵌入式软核处理器用于控制所述图像传感器和所述图像处理模块，所述图像处理模块是硬件描述语言模块，所述图像处理模块以自定义指令的方式嵌入到所述嵌入式软核处理器中。本发明的系统用嵌入式软核处理器的硬件加速功能和两种片上总线Avalon-MM和Avalon-ST总线的各自优势，在一个系统中，根据不同模块的功能，采用两种总线结构，以达到优化系统功能的目的。
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