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公开(公告)号：CN103592820B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210285811.1
申请日：2012-08-13
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种全局调平边沿扫描的装置，包括：一工件台，用于承载一硅片，并为该硅片提供多个自由度运动；工件台驱动装置，用于驱动所述工件台；调焦调平装置，用以实现对硅片和调焦调平装置的标记的垂向测量并建立两者之间的关系；测量系统，用于测量所述工件台的位置；第一传输系统，用于输入信息，所述输入信息为所述测量系统测得的信息；计算器，用于根据输入的信息进行计算得出全局调平边沿扫描的初始位置；第二传输系统，用于将初始位置信号传输给所述工件台驱动装置；所述工件台驱动装置驱动所述工件台从初始位置开始进行全局调平边沿扫描，最终回到初始位置。本发明还提供一种全局调平边沿扫描的方法。
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公开(公告)号：CN103367217B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210103995.5
申请日：2012-04-11
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种硅片曝光装置及其曝光方法，该装置包括吸盘，固定于工件台上，所述吸盘上分布有多个吸孔；多个分管道，与所述吸孔分别对应且连接；总管道，与所述多个分管道连通，将所述分管道和吸孔的气体抽出，使硅片和所述吸盘之间形成真空并相互紧贴；与所述多个分管道分别对应的多个控制器，控制各个分管道对吸孔抽取真空的时刻和真空度。该方法包括根据硅片的翘曲程度规划各个所述吸孔抽取真空的时刻；根据硅片的翘曲大小规划各个所述吸孔抽取真空的真空度；根据规划的时刻和真空度，由所述控制器控制所述分管道对所述吸孔抽取真空。本装置及方法通过分时控制吸孔的真空度，保证硅片安全固定，降低拒片情况，保证硅片曝光质量，提高硅片的良率和产率。
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公开(公告)号：CN106154759A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510175996.4
申请日：2015-04-15
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种可校正物料起伏的光刻装置，其特征在于，包括：照明系统，用于提供一光刻光束；掩模台，用于承载掩模；掩模台垂向传感器，用于探测并控制一掩模台的垂向位置；掩模调焦调平系统，用于测量掩模的面形；工件台，用于承载基板运动，补偿掩模和基板面形的低阶量；基板调焦调平系统，用于测量基板的面形；工件台垂向传感器，用于探测并控制一工件台的垂向位置；物镜阵列，由多个单物镜组成的两列物镜，单物镜包括上方可动镜片和下方可动镜片，所述上方可动镜片和下方可动镜片具有垂向调整功能，上方可动镜片用于补偿掩模局部面形高阶量，下方可动镜片用于补偿基板局部面形高阶量；掩模调焦调平系统和基板调焦调平系统位于两列物镜之间，掩模调焦调平系统位于基板调焦调平系统的正上方。
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公开(公告)号：CN103365106B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210103994.0
申请日：2012-04-11
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出了一种光刻装置硅片曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）按照一定规则选取位于工件台上的硅片上的测量点；（2）使用测量系统测量选取好的测量点的位置数据；（3）对位置数据进行拟合，得到硅片面形；（4）计算硅片上每个曝光场的调焦调平参数；（5）根据曝光场的调焦调平参数对硅片进行调焦调平；（6）对硅片进行曝光。本发明提出的一种硅片曝光的方法以曝光场为单位进行调焦调平，保证每个曝光场在焦深范围内进行曝光，从而保证每个曝光场的成像质量；因对硅片所有曝光场都进行调焦调平，大大提高了曝光场的曝光质量，从而提高了硅片的良率与产率。
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公开(公告)号：CN103365106A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210103994.0
申请日：2012-04-11
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出了一种光刻装置硅片曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）按照一定规则选取位于工件台上的硅片上的测量点；（2）使用测量系统测量选取好的测量点的位置数据；（3）对位置数据进行拟合，得到硅片面形；（4）计算硅片上每个曝光场的调焦调平参数；（5）根据曝光场的调焦调平参数对硅片进行调焦调平；（6）对硅片进行曝光。本发明提出的一种硅片曝光的方法以曝光场为单位进行调焦调平，保证每个曝光场在焦深范围内进行曝光，从而保证每个曝光场的成像质量；因对硅片所有曝光场都进行调焦调平，大大提高了曝光场的曝光质量，从而提高了硅片的良率与产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103246169A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210024750.3
申请日：2012-02-03
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提出一种焦面变化测量方法与装置，测量方法包括以下步骤：进入参考状态，标定参考曝光焦面的位置；更新基石相对所述参考曝光焦面的倾斜；进行参考掩模对准，获得参考对准焦面变化量，计算参考对准焦面位置；工件台基准板垂向运动到参考位置，调焦调平传感器测量所述工件台基准板上参考调平点的高度及倾斜值；启动曝光流程，在基底全局调平之前，计算所述调焦调平传感器零平面的漂移量；进行实际掩模对准，计算实际对准焦面变化量，获得实际曝光焦面的位置，从而保证曝光时基底始终位于最佳焦面。
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公开(公告)号：CN103592820A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210285811.1
申请日：2012-08-13
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种全局调平边沿扫描的装置，包括：一工件台，用于承载一硅片，并为该硅片提供多个自由度运动；工件台驱动装置，用于驱动所述工件台；调焦调平装置，用以实现对硅片和调焦调平装置的标记的垂向测量并建立两者之间的关系；测量系统，用于测量所述工件台的位置；第一传输系统，用于输入信息，所述输入信息为所述测量系统测得的信息；计算器，用于根据输入的信息进行计算得出全局调平边沿扫描的初始位置；第二传输系统，用于将初始位置信号传输给所述工件台驱动装置；所述工件台驱动装置驱动所述工件台从初始位置开始进行全局调平边沿扫描，最终回到初始位置。本发明还提供一种全局调平边沿扫描的方法。
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公开(公告)号：CN102566287B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201010592409.9
申请日：2010-12-16
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻机的垂向控制方法，包括如下步骤：a.由调焦调平传感器测量初始位置下基底上的测量点的位置信息，由垂向测量传感器测量初始位置下工件台的位置信息；b.根据上述位置信息计算得到将基底上的测量点调节至目标平面内的垂向设定值；c.以所述垂向设定值为闭环控制的输入值，以垂向测量传感器实时测量得到的当前位置下工件台的位置信息作为闭环控制的反馈值，对工件台的位置进行闭环控制，从而将基底上的测量点调到目标平面。根据本发明的垂向控制方法，调焦调平传感器无需参与到闭环控制中，可大大节省时间并降低闭环机制的复杂度。
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公开(公告)号：CN103367217A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210103995.5
申请日：2012-04-11
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种硅片曝光装置及其曝光方法，该装置包括吸盘，固定于工件台上，所述吸盘上分布有多个吸孔；多个分管道，与所述吸孔分别对应且连接；总管道，与所述多个分管道连通，将所述分管道和吸孔的气体抽出，使硅片和所述吸盘之间形成真空并相互紧贴；与所述多个分管道分别对应的多个控制器，控制各个分管道对吸孔抽取真空的时刻和真空度。该方法包括根据硅片的翘曲程度规划各个所述吸孔抽取真空的时刻；根据硅片的翘曲大小规划各个所述吸孔抽取真空的真空度；根据规划的时刻和真空度，由所述控制器控制所述分管道对所述吸孔抽取真空。本装置及方法通过分时控制吸孔的真空度，保证硅片安全固定，降低拒片情况，保证硅片曝光质量，提高硅片的良率和产率。
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公开(公告)号：CN101482399B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910045745.9
申请日：2009-02-03
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Inventor： 王献英
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明提供一种应用于投影光刻系统调焦调平的基底倾斜和基石倾斜的测量方法和系统。本发明所公开的方法和系统不需进行曝光，通过在基底上X、Y方向等距选取多点，利用基底倾斜和基石倾斜测量系统进行测量，然后利用测量数据进行拟合计算得到基底倾斜值和基石倾斜值。
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