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公开(公告)号：CN117747446A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311614059.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种将器件从蓝膜转移到硅片的转移印刷方法，属于转移印刷技术领域,技术步骤如下：薄膜固定在定位装置上，调节定位器间的距离和高度获得要求薄膜形状，要求的薄膜形状呈曲线状→将顶针安装固定在载物台上，然后依次放置蓝膜和待转印器件至顶针的上方→调节定位装置带动薄膜下降，顶针顶起而后调节定位装置使薄膜与待转印器件接触并完成提升拾取→移动载物台带着待转印器件位移至接收衬底正上方，然后降低定位器高度使待转印器件与接收衬底接触。通过改变了转印时薄膜的形态，该薄膜结构可以提供更大的粘附力用于器件的拾取，实现了器件从蓝膜到光滑接收衬底上的转印过程。将器件打印在粘附力非常小的衬底上，具有广泛的通用性。
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公开(公告)号：CN115939231A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211485089.6
申请日：2022-11-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/09 , A61B5/145 , A61B5/1455
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器，包括硅波导层(012)，硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和硅微环(006)，硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的一段为耦合区(020)，除耦合区(020)外硅微环(006)的上表面有锗吸收层(004)。本发明利用半导体材料的双光子吸收效应，并利用硅基平台以及微环谐振腔结构，实现了低成本、高集成度的2μm波段光电探测器，并对光电探测器的结构做出了优化，将单层硅微环改为Ge‑on‑Si双层微环，并对耦合区的锗微环进行了部分刻蚀的处理，处理后的微环探测器在保留了与成熟的互补金属氧化物半导体技术兼容的特点的同时，在数值仿真中取得了良好的探测效果。
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公开(公告)号：CN115968187A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211564916.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜的转移印刷技术，所需设备元件包括两个定位板组合成的定位台、载物台、待转印元件及电路板，技术步骤如下：步骤1：薄膜两端与定位台固定，调整定位板间的距离将薄膜拉成平面；步骤2：固定待转印元件于载物台上；步骤3：调整定位板间的距离使薄膜与待转印元件接触并粘附；步骤4：锡膏涂覆电路板焊盘，并将电路板置于载物台上；步骤5：调整定位板间的距离控制薄膜使待转印元件与电路板的待转印位置进行接触，薄膜与待转印元件脱离，待转印元件被固定在电路板位置上；步骤6：控制温度固化锡膏，完成转印。该技术拓展了微转印技术的应用范围，为更多的器件、材料提供使用转印技术的可能性，简化其原先的制作工艺。
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公开(公告)号：CN115968187B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202211564916.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜的转移印刷技术，所需设备元件包括两个定位板组合成的定位台、载物台、待转印元件及电路板，技术步骤如下：步骤1：薄膜两端与定位台固定，调整定位板间的距离将薄膜拉成平面；步骤2：固定待转印元件于载物台上；步骤3：调整定位板间的距离使薄膜与待转印元件接触并粘附；步骤4：锡膏涂覆电路板焊盘，并将电路板置于载物台上；步骤5：调整定位板间的距离控制薄膜使待转印元件与电路板的待转印位置进行接触，薄膜与待转印元件脱离，待转印元件被固定在电路板位置上；步骤6：控制温度固化锡膏，完成转印。该技术拓展了微转印技术的应用范围，为更多的器件、材料提供使用转印技术的可能性，简化其原先的制作工艺。
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