公开(公告)号：CN118413273A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410595990.1

申请日：2024-05-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 叶楠 ,  欧阳越华 ,  宋英雄 ,  王演祎 ,  王柱天 ,  黄龙鑫 ,  朱政龙 ,  吴俊衍

IPC: H04B10/25 ,  H04B10/54

Abstract: 本发明公开了一种2μm波段的高质量光生微波实现系统，包括光源，其特征在于：光源射出的光依次通过光放大器、光隔离器、偏振控制器进入强度调制器，强度调制器中由射频源和直流源驱动。用射频源输出正弦类型的射频调制信号，并用直流源输出直流偏置电压，驱动强度调制器以产生光频梳，将光频梳输入接收端的光电探测器进行光电能量转换得到光生微波。将光生微波技术扩展至2μm波段并利用空芯光子带隙光纤传输，能够获得更高的传输及光电转换效率。仅使用单个强度调制器产生光学频率梳，将光频梳应用于光生微波的合成，利用其天然的相位相干性以及频率间隔稳定性，使其在光电探测器处能够拍频产生高相位噪声性能的高质量光生微波。

公开(公告)号：CN115939231A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211485089.6

申请日：2022-11-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 叶楠 ,  胡志涛 ,  陈昌 ,  王兆璁 ,  赵金杨 ,  王柱天 ,  欧阳越华 ,  程强

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  A61B5/145 ,  A61B5/1455

Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器，包括硅波导层(012)，硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和硅微环(006)，硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的一段为耦合区(020)，除耦合区(020)外硅微环(006)的上表面有锗吸收层(004)。本发明利用半导体材料的双光子吸收效应，并利用硅基平台以及微环谐振腔结构，实现了低成本、高集成度的2μm波段光电探测器，并对光电探测器的结构做出了优化，将单层硅微环改为Ge‑on‑Si双层微环，并对耦合区的锗微环进行了部分刻蚀的处理，处理后的微环探测器在保留了与成熟的互补金属氧化物半导体技术兼容的特点的同时，在数值仿真中取得了良好的探测效果。