公开(公告)号：CN115939231A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211485089.6

申请日：2022-11-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 叶楠 ,  胡志涛 ,  陈昌 ,  王兆璁 ,  赵金杨 ,  王柱天 ,  欧阳越华 ,  程强

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  A61B5/145 ,  A61B5/1455

Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器，包括硅波导层(012)，硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和硅微环(006)，硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的一段为耦合区(020)，除耦合区(020)外硅微环(006)的上表面有锗吸收层(004)。本发明利用半导体材料的双光子吸收效应，并利用硅基平台以及微环谐振腔结构，实现了低成本、高集成度的2μm波段光电探测器，并对光电探测器的结构做出了优化，将单层硅微环改为Ge‑on‑Si双层微环，并对耦合区的锗微环进行了部分刻蚀的处理，处理后的微环探测器在保留了与成熟的互补金属氧化物半导体技术兼容的特点的同时，在数值仿真中取得了良好的探测效果。