公开(公告)号：CN108336225A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810151503.7

申请日：2018-02-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  张电 ,  李泰然 ,  姜亦杨 ,  王林军

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种具有多态阻变特性的非晶碳基阻变存储单元及其制备方法，该单元结构由底电极、阻变介质层、顶电极组成。其中所述底电极为位于衬底上的FTO，阻变介质层为非晶碳膜，顶电极为铝。本发明公开了其制备方法，具体是采用直流磁控溅射在FTO/SiO2衬底上生长a-C膜，然后使用热蒸发制备Al电极；本发明同时公开了多态阻变功能的实现方法，即通过设置不同限流，以达到多态存储功能。本发明的多态阻变单元具有良好的开关特性、稳定性和可重复性，其制备方法简单，成本低。

公开(公告)号：CN105742492A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610225882.0

申请日：2016-04-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  周家伟 ,  张电 ,  季欢欢 ,  杨瑾 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王林军

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

Abstract: 本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层，其中所述磁性元素的掺杂质量比为5?20 wt%。本发明通过一种新颖的电极结构使阻变现象仅发生在负电压，单边阻变现象使阻变存储单元热量损耗更小，提升阻变存储单元读取次数。本发明通过在非晶碳中掺杂磁性元素，使得掺杂的非晶碳薄膜阻变层在具有稳定阻变特性的同时还具有一定磁特性；阻变窗口>10，存储时间>1×105 s；结构简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN105742492B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201610225882.0

申请日：2016-04-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 汪琳 ,  周家伟 ,  张电 ,  季欢欢 ,  杨瑾 ,  张淑玮 ,  任兵 ,  王林军

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层，其中所述磁性元素的掺杂质量比为5‑20 wt%。本发明通过一种新颖的电极结构使阻变现象仅发生在负电压，单边阻变现象使阻变存储单元热量损耗更小，提升阻变存储单元读取次数。本发明通过在非晶碳中掺杂磁性元素，使得掺杂的非晶碳薄膜阻变层在具有稳定阻变特性的同时还具有一定磁特性；阻变窗口>10，存储时间>1×105 s；结构简单，成本低廉。