公开(公告)号：CN101692468A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910196564.6

申请日：2009-09-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  张弋 ,  黄健 ,  方谦 ,  曾庆锴 ,  张旭 ,  夏义本

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/113

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于自支撑金刚石薄膜的金属Pb-氰化物SiO2-P型金刚石薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于光电探测器件制造工艺技术领域。本发明的特点是：(1)利用具有p型导电类型金刚石薄膜作为表面p型沟道层，其是p型金刚石薄膜不是通过掺杂获得，而是采用氢等离子体刻蚀的方法在自支撑金刚石的成核面获得H终端P型金刚石薄膜半导体导电层。(2)去除了一般常用的硅衬底，采用了具有一定厚度的自支撑金刚石薄膜。本发明的金刚石薄膜光敏晶体管可适用于高温、高频、大功率及恶劣环境条件下的应用；并具有较高的稳定性能，响应速度快，抗辐照能力强。

公开(公告)号：CN101527331A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910048331.1

申请日：2009-03-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  方谦 ,  黄健 ,  肖琦 ,  王俊 ,  张弋 ,  夏义本

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于P型纳米金刚石薄膜/[100]定向金刚石薄膜场效应光电探测器的制备方法，属场效应光电探测器制造工艺技术领域。本发明的特点是：采用了肖特基场效应结构，并利用P型纳米金刚石薄膜作为表面P型沟道层；纳米金刚石薄膜的P型不是通过掺杂其他元素获得，而是采用氢等离子刻蚀的方法获得H终端P型纳米金刚石层。本发明的另一个特点是采用了除去传统的硅衬底的工艺，使有利于探测器在高温、高频、大功率领域及恶劣环境中的应用。

公开(公告)号：CN101692468B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200910196564.6

申请日：2009-09-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  张弋 ,  黄健 ,  方谦 ,  曾庆锴 ,  张旭 ,  夏义本

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/113

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于自支撑金刚石薄膜的金属Pb-氰化物SiO2-P型金刚石薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于光电探测器件制造工艺技术领域。本发明的特点是：(1)利用具有p型导电类型金刚石薄膜作为表面p型沟道层，其是p型金刚石薄膜不是通过掺杂获得，而是采用氢等离子体刻蚀的方法在自支撑金刚石的成核面获得H终端P型金刚石薄膜半导体导电层。(2)去除了一般常用的硅衬底，采用了具有一定厚度的自支撑金刚石薄膜。本发明的金刚石薄膜光敏晶体管可适用于高温、高频、大功率及恶劣环境条件下的应用；并具有较高的稳定性能，响应速度快，抗辐照能力强。