存储器读出电路、测试电路及测试方法、芯片

    公开(公告)号:CN118471301A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202310098975.1

    申请日:2023-02-07

    Abstract: 本发明公开一种存储器读出电路、测试电路及测试方法、芯片,该存储器读出电路包括:电流比较电路、预充电电路、选择开关、参考电流产生电路、列解码电路、限流电路、与参考电流产生电路连接的测试开关、与测试开关连接的测试接口;列解码电路通过位线分别与第一存储单元和第二存储单元连接,还通过选择开关与电流比较电路连接;参考电流产生电路通过选择开关与所述电流比较电路连接;限流电路连接在存储单元的源线和地之间;预充电电路与电流比较电路、选择开关连接。利用本方案,无需增加额外的测试电路即可实现对存储阵列和读通路的测试。

    闪存芯片模块
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212380424U

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202020970460.8

    申请日:2020-06-01

    Abstract: 一种闪存芯片模块,包括:封装载体,包括若干外部共享引脚;位于所述封装载体上的闪存芯片,包括若干第一共享引脚以及若干第一内部引脚,所述第一共享引脚与所述外部共享引脚互连;位于所述封装载体上的应答保护单调计数器芯片,包括若干第二内部引脚,所述第二内部引脚与所述第一内部引脚互连。从而,降低了闪存芯片模块的设计复杂度、封装难度,增加了闪存芯片模块的成品率,并减小闪存芯片模块的功耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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