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公开(公告)号：CN116073799A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111300773.8
申请日：2021-11-04
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: H03K5/134
Abstract: 本发明公开时钟产生电路，包括：偏置电压模块、相位延迟模块和相位组合逻辑模块；其中，相位延迟模块包括相位延迟单元，相位延迟单元包括：充放电电流镜，用于输出相位延迟信号；状态管理单元，用于在相位延迟单元非使能状态下将充放电电流镜的输出节点的状态清零。利用本发明提供的时钟产生电路，可以减小电源电压和低压下工艺角的变化对时钟延迟时间的影响，能够工作在超低压应用中。
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公开(公告)号：CN116129972A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111340634.8
申请日：2021-11-12
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钳位电压产生电路，该电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、充电模块；第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的栅极与漏极连接、并且与第二NMOS管的源极连接，第二NMOS管的栅极与漏极连接、并且连接充电模块的输出端；所述充电模块用于对第二NMOS管和第一NMOS管进行充电；第二NMOS管的漏极作为输出端，向非易失存储器读出电路中的钳位管输出钳位电压；第二NMOS管的类型和尺寸相同与所述钳位管的类型和尺寸相同。本发明还提供一种读出电路和一种电源电路。利用本发明钳位电压产生电路，可以减小由于钳位管工艺偏差对读通路中位线电压的影响，使位线上的电压能够在不同芯片中保持稳定。
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公开(公告)号：CN116129953A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111343080.7
申请日：2021-11-12
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明公开了一种存储器读出电路及芯片，包括：电流比较电路，预充电电路，工作模式切换开关，参考电流源，列解码电路；列解码电路通过位线与第一存储单元和第二存储单元连接，还通过工作模式切换开关与电流比较电路连接；参考电流源通过所述工作模式切换开关与电流比较电路连接；工作模式切换开关用于在读取数据时，将位线选中的存储单元与电流比较电路连接，并且在差分模式下，断开参考电流源与电流比较电路的连接，在单端模式下，控制参考电流源与电流比较电路连接；预充电电路与电流比较电路连接，用于在单端模式下对位线选中的存储单元进行读操作之前，对该存储单元进行充电。本发明存储器读出电路结构简单，适应性强。
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公开(公告)号：CN116110475A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111322807.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器架构、芯片，非易失性存储器架构包括：第一存储电路、第二存储电路、以及读出灵敏放大器；第一存储电路和第二存储电路具有相同结构，包括：存储阵列、行选择电路、列解码电路、列选择开关电路、锁存器；第一存储电路中存储阵列位于第一衬底中，第二存储电路中存储阵列位于第二衬底中；第一衬底和第二衬底是物理上分开的两个不同的阱；第一存储电路和第二存储电路中存储单元连接不同的位线，并且一一对应；读出灵敏放大器通过逻辑开关与位线连接，用于在与其相连的位线被选中时，读取选中存储单元中的数据。该非易失性存储器可以在差分模式和单端模式之间任意切换，满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN112992208A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911310323.X
申请日：2019-12-18
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种非挥发存储器，包含：若干个存储模块，WL控制电路、BL控制电路、SL控制电路；所述存储模块包含若干个相同的存储单元构成的存储单元阵列；WL控制电路的输入端口连接WL地址信号；同一行存储单元的WL端口形成阵列结构；同一行的WL端口均连接WL控制电路的同一个输出端口；BL控制电路的输入端口连接BL地址信号，同一列存储单元的BL端口均连接BL控制电路的同一个输出端口；SL控制电路的输入端口连接SL地址信号，同一个存储模块的存储单元的SL端口均连接SL控制电路的同一个输出端口。本发明的非挥发存储器在不增加存储阵列面积的情况下，通过分开控制各存储模块的SL端口，防止数据读出错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103377708A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210128867.6
申请日：2012-04-27
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种用于非易失性存储器的读出放大电路及存储器。所述读出电路包括：多位存储单元构成的基本物理单元，各位存储单元对应连接于各自的读出位线；基本物理单元经由第一选通管选通；与基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组，其中各基准单元与各位存储单元一一对应，对应连接于各自的基准电压线，并且与对应各位存储单元的结构完全相同；所述基准单元组经由第二选通管选通；所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同；读出放大器，连接上述多根读出位线及基准电压线，根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果，输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且，可延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103377687A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210129351.3
申请日：2012-04-27
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G11C7/06
Abstract: 一种读出放大电路及存储器。所述读出放大电路包括：多位存储单元构成的基本物理单元，各位存储单元对应连接于各自的读出位线；所述基本物理单元经由第一选通管选通；与所述基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组，其中各基准单元与各位存储单元一一对应，对应连接于各自的基准电压线，并且与对应各位存储单元的结构完全相同；所述基准单元组经由第二选通管选通；所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同；读出放大器，连接上述多根读出位线及基准电压线，根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果，输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且，可延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103377687B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201210129351.3
申请日：2012-04-27
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G11C7/06
Abstract: 一种读出放大电路及存储器。所述读出放大电路包括：多位存储单元构成的基本物理单元，各位存储单元对应连接于各自的读出位线；所述基本物理单元经由第一选通管选通；与所述基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组，其中各基准单元与各位存储单元一一对应，对应连接于各自的基准电压线，并且与对应各位存储单元的结构完全相同；所述基准单元组经由第二选通管选通；所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同；读出放大器，连接上述多根读出位线及基准电压线，根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果，输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且，可延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103377708B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210128867.6
申请日：2012-04-27
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种用于非易失性存储器的读出放大电路及存储器。所述读出电路包括：多位存储单元构成的基本物理单元，各位存储单元对应连接于各自的读出位线；基本物理单元经由第一选通管选通；与基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组，其中各基准单元与各位存储单元一一对应，对应连接于各自的基准电压线，并且与对应各位存储单元的结构完全相同；所述基准单元组经由第二选通管选通；所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同；读出放大器，连接上述多根读出位线及基准电压线，根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果，输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且，可延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118471301A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310098975.1
申请日：2023-02-07
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种存储器读出电路、测试电路及测试方法、芯片，该存储器读出电路包括：电流比较电路、预充电电路、选择开关、参考电流产生电路、列解码电路、限流电路、与参考电流产生电路连接的测试开关、与测试开关连接的测试接口；列解码电路通过位线分别与第一存储单元和第二存储单元连接，还通过选择开关与电流比较电路连接；参考电流产生电路通过选择开关与所述电流比较电路连接；限流电路连接在存储单元的源线和地之间；预充电电路与电流比较电路、选择开关连接。利用本方案，无需增加额外的测试电路即可实现对存储阵列和读通路的测试。
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