可同时测试多个灯具的LED照明灯具发光维持率测试装置

    公开(公告)号:CN202217045U

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201120335174.5

    申请日:2011-09-07

    Abstract: 一种可同时测试多个灯具的LED照明灯具发光维持率测试装置,属测量领域。其包括一依次设有光电转换模块、信号放大/滤波模块、单片机模块和电源模块的主机,在主机上设有数个与光电转换模块电连接的光纤束法兰;设置数组光纤束,各光纤束的首端分别固定在一个待测灯具处,各光纤束的末端分别经过光纤束法兰与主机内的光电转换模块连接;单片机模块与相关外设模块和SD存储卡模块连接;其各个光纤束内分别设有一根玻璃光纤,在每根玻璃纤维的外部设置护套,在每根光纤束的首/末端设置首/末端端套。其可自动采集多个LED灯具的光辐射能量,经模/数信号转换,并换算成相应的照度值,自动记录、存储在标准SD卡中。特别适用于LED灯具的寿命性能测试领域。

    LED侧面钝化层质量的测试结构及测试方法

    公开(公告)号:CN102569122B

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201210054565.9

    申请日:2012-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构,通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极,从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量,并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测;同时,还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法,通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻,并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较,从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测;该方法简单方便,并且成本较低。

    一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN101954617B

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN200910055069.3

    申请日:2009-07-20

    Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法,包括:采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光;采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光;所述第二浓度低于第一浓度,所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比,使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后,再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光,不必再经过退火步骤。此外,由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小,磨削效率高,分散性好,因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明,抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。

    一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置

    公开(公告)号:CN101625400B

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN200910056425.3

    申请日:2009-08-14

    Abstract: 一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置,属测试领域。其在各光电探测器信号输出端,设置前置放大器、A/D变换模块和无线发射模块,在终端微机系统信号输入端,设置一个受单片机控制的无线数据接收模块;无线数据接收模块和多个无线发射模块构成多对一的、星型网络拓扑结构的无线信号传输单元;将各光电探测器的输出信号进行数字化并按时序地且附有地址编码地进行无线发射,无线数据接收模块在单片机的控制下,对所有无线发射模块所发出的无线传输信号按地址编码进行自动巡检/接收并送入终端微机系统;终端微机系统进行实时自动巡检并采集各组LED灯具的光强变化数据,对每一被测灯具,实施测试管理和集中数据处理。

    一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN101954617A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200910055069.3

    申请日:2009-07-20

    Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法,包括:采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光;采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光;所述第二浓度低于第一浓度,所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比,使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后,再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光,不必再经过退火步骤。此外,由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小,磨削效率高,分散性好,因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明,抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。

    GaN基LED外延片、芯片及器件

    公开(公告)号:CN101931037A

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN201010244358.0

    申请日:2010-08-03

    Abstract: 本发明实施例公开内量子效率较高的GaN基LED外延片、芯片及器件。上述外延片,包括P型区、N型区以及设置于P型区和N型区之间的有源层,该外延片基于非极性衬底;所述有源层包括多个量子阱组,所述量子阱组中包括量子阱,所述量子阱包括势垒层和势阱层,所述任一量子阱组的势阱层中铟组分含量与其他量子阱组的势阱层中铟组分含量不相同。从上述的技术方案可以看出,在本发明实施例中,基于非极性衬底可以制备出非极性GaN基材料。由于非极性GaN基材料的极化效应不强,也就不会产生强度较高的内建极化电场,从而降低了电子和空穴波函数向量子阱的两侧偏移、电子和空穴波函数交叠变少的概率,进而提高了内量子效率及发光效率。

    通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺

    公开(公告)号:CN101276868A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200810037354.8

    申请日:2008-05-13

    Abstract: 本发明涉及了一种通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺,它包括p型金pad、n型金pad、发光有源层、衬底、透明电流扩展层、填充体,其中发光有源层通过MOCVD设备生长在衬底上,其中间有一层过渡层,填充体填充在发光有源层被刻蚀的一个孔里,透明电流扩展层通过薄膜生长技术生长在发光有源层表面,p型金pad蒸镀在透明电流扩展层上面,n型金pad在发光有源层被刻蚀掉的一个角位置上,本发明避免了发光有源层耗能不出光的缺陷,从而达到提高出二极管的出光效率。

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